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다층 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리

  • 기술번호 : KST2015142719
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상변화 물질을 이용하는 3차원 입체 메모리 구조가 개시된다. 기판 상에 번갈아가며 적층된 층간 절연막 및 측면 적극층을 관통하는 홀이 형성되고, 측면 전극층의 리세스된 영역은 제1 히터층으로 매립된다. 홀 내부는 제1 상변화층, 제2 히터층, 제2 상변화층 및 중앙 전극층으로 매립된다. 또한, 측면 전극층의 리세스된 영역은 제1 상변화층으로 매립될 수 있으며, 그 측면에는 히터층, 제2 상변화층 및 중앙 전극층으로 매립된다. 제1 상변화층은 제2 상변화층에 비해 낮은 결정화 온도를 가진다. 따라서, 제1 상변화층의 비정질 또는 결정질의 상변화에 따라 제1 상변화층은 고저항 또는 저저항 상태를 구현하며, 제2 상변화층의 물성의 변화에 따른 저항상태에 대한 읽기 동작 또는 쓰기 동작을 수행하는데 스위칭 소자로 기능할 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130036456 (2013.04.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1511421-0000 (2015.04.06)
공개번호/일자 10-2014-0120993 (2014.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20150410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0291374-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0097489-47
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-1147674-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0227391-61
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0516722-35
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0516723-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0451813-81
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0823693-11
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0823694-67
12 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0004570-21
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0149017-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 층간 절연막과 함께 번갈아가며 형성된 측면 전극층;상기 측면 전극층의 리세스된 영역에 매립된 제1 히터층;상기 제1 히터층과 상기 층간 절연막의 측면에 형성되고, 상기 측면 전극층을 관통하는 홀 내부에 형성되며 저항 상태의 변화에 따른 스위칭 동작을 수행하는 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 제2 히터층; 및상기 제2 히터층 상에 형성되고, 저항 상태의 변화에 따른 정보를 저장하는 제2 상변화층; 및상기 제2 상변화층 상에 형성되고, 상기 홀을 매립하는 중앙 전극층을 포함하는 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 측면 전극층은 동일 층간 절연막 상에서 상호간에 분리되는 것을 특징으로 하는 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 결정화 온도는 상기 제2 상변화층의 결정화 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 상변화층은 GST 또는 SbTe이고, 상기 제2 상변화층은 GCT인 것을 특징으로 하는 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 중앙 전극층 사이에는 제3 히터층이 더 포함되고, 상기 제3 히터층은 상기 제2 상변화층에 주울열을 공급하는 것을 특징으로 하는 3차원 메모리
6 6
기판 상에 층간 절연막과 함께 번갈아가면 형성된 측면 전극층;상기 측면 전극층의 리세스된 영역에 매립되고, 저항 상태의 변화에 따른 스위칭 동작을 수행하는 제1 상변화층;상기 제1 상변화층과 상기 층간 절연막의 측면에 형성된 히터층;상기 히터층 상에 형성되고, 저항 상태의 변화에 따른 정보를 저장하는 제2 상변화층; 및상기 제2 상변화층 상에 형성되고, 상기 제2 상변화층에 의해 정의되는 홀을 매립하는 중앙 전극층을 포함하는 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 결정화 온도는 상기 제2 상변화층의 결정화 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 상변화층은 GST 또는 SbTe이고, 상기 제2 상변화층은 GCT인 것을 특징으로 하는 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
9 9
제6항에 있어서, 상기 측면 전극층은 동일 층간 절연막 상에서 상호간에 분리된 상태로 제공되는 것을 특징으로 하는 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
10 10
삭제
11 11
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 정보통신기술인력양성사업 B4G 이동통신 시스템 네트워크 가상화 기반기술 연구 및 인력 양성