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기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 제1 산화물 반도체층;상기 제1 산화물 반도체층 상에 위치하는 도전층;상기 도전층 상에 위치하는 제2 산화물 반도체층; 및상기 제2 산화물 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 산화물 반도체층, 도전층 및 제2 산화물 반도체층로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 층의 상부 또는 하부에 위치하는 추가절연체층을 더 포함하고,상기 추가절연체층의 저항값은 상기 추가절연체층을 포함하지 않은 경우의 온 저항값의 0
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기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 제1 산화물 반도체층;상기 제1 산화물 반도체층 상에 위치하는 도전층;상기 도전층 상에 위치하는 제2 산화물 반도체층; 및상기 제2 산화물 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 도전층은 복수개의 금속층들을 포함하고, 상기 금속층들 사이에 적어도 한층 이상 위치하는 추가절연체층을 더 포함하고,상기 추가절연체층의 저항값은 상기 추가절연체층을 포함하지 않은 경우의 온 저항값의 0
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제2항에 있어서,상기 도전층은,제1 금속층;상기 제1 금속층 상에 위치하는 추가절연체층; 및상기 추가절연체층 상에 위치하는 제2 금속층을 포함하는 상보적 저항 스위칭 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 금속층은 Ta, W, Ti, Cu, Ag, TaN, TiN, WN 또는 Pt를 포함하는 상보적 저항 스위칭 메모리 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 추가절연체층은 산화물 또는 질화물을 포함하는 상보적 저항 스위칭 메모리 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 추가절연체층은 Ta2O5-x, TiOx, CoOx, MgOx, CuAlOx, MnOx, SnOx, FeOx, WOx, PbOx, Pr1-xCaxMnO3, La1-xCaxMnO3, La1-xSrxMnO3, PbZr1-xTixO3, HfO2-x, CeOx, ZnOx, AlOx, LaOx, NbOx, InxZn1-xO2), LixNb1-xO3, SrxTi1-xO3, BaxSr1-xTiO3, Ta, W, Ti, Cu, Ag, TaN, TiN, WN, TaN, TaON, TiON 또는 TiN을 포함하는 상보적 저항 스위칭 메모리 소자
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7
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 위치하는 제1 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 산화물 반도체층 상에 도전층을 형성하는 단계;상기 도전층 상에 제2 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2 산화물 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 각각 단계들 사이 중 적어도 하나의 사이에, 제1 전극, 제1 산화물 반도체층, 도전층 및 제2 산화물 반도체층 중 적어도 어느 한 층 상에 추가절연체층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 추가절연체층의 저항값은 상기 추가절연체층을 포함하지 않은 경우의 온 저항값의 0
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8
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 위치하는 제1 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 산화물 반도체층 상에 복수개의 금속층들 및 상기 금속층들 사이에 적어도 한층 이상 위치하는 추가절연체층을 포함하는 도전층을 형성하는 단계;상기 도전층 상에 제2 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2 산화물 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 추가절연체층의 저항값은 상기 추가절연체층을 포함하지 않은 경우의 온 저항값의 0
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9
제8항에 있어서,상기 도전층을 형성하는 단계는,상기 제1 산화물 반도체층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계;상기 제1 금속층 상에 추가절연체층을 형성하는 단계; 및상기 추가절연체층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 상보적 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 추가절연체층은 산화물 또는 질화물을 포함하는 상보적 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법
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11
제7항 또는 제8항에 있어서,상기 추가절연체층은 Ta2O5-x, TiOx, CoOx, MgOx, CuAlOx, MnOx, SnOx, FeOx, WOx, PbOx, Pr1-xCaxMnO3, La1-xCaxMnO3, La1-xSrxMnO3, PbZr1-xTixO3, HfO2-x, CeOx, ZnOx, AlOx, LaOx, NbOx, InxZn1-xO2), LixNb1-xO3, SrxTi1-xO3, BaxSr1-xTiO3, Ta, W, Ti, Cu, Ag, TaN, TiN, WN, TaN, TaON, TiON 또는 TiN을 포함하는 상보적 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법
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