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제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성되며, 도너 물질 및 억셉터 물질을 포함하는 제 1 유기물층;상기 제 1 유기물층 상에 형성된 나노 크리스탈층;상기 나노 크리스탈층 상에 형성되며, 도너 물질 및 억셉터 물질을 포함하는 제 2 유기물층; 및상기 제 2 유기물층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 나노 크리스탈층은 배리어층과 상기 배리어층 내에 형성된 복수의 나노 크리스탈을 포함하며,상기 도너 물질은 P3HT를 포함하고, 상기 억셉터 물질은 PCBM([6,6]-phenyl-C61 butyric acid methyl ester)를 포함하며,상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 전위차에 따라 상기 나노 크리스탈 내에 전하가 적어도 부분적으로 충전 및 방전되어 멀티 레벨의 전류가 출력되는 비휘발성 메모리 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 나노 크리스탈은 Al, Ti, Zn, Fe, Ni, Sn, Pb, Cu와 이들의 합금 중 적어도 어느 하나인 비휘발성 메모리 소자
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청구항 5에 있어서, 상기 배리어층은 상기 나노 크리스탈 물질의 산화물, Al2O3, TiO2, CB(carbazole terminated thiol) 중에서 선택된 어느 하나인 비휘발성 메모리 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 전위차가 증가함에 따라 전류가 증가하는 영역과, 상기 전위차가 증가함에 따라 전류가 감소하는 부저항 영역을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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청구항 7에 있어서, 상기 전위차가 임계 전압 이하일 경우 상기 나노 크리스탈 내에 전하가 충전되지 않아 전류가 완만하게 상승하며, 상기 전위차가 상기 임계 전압 이상일 경우 상기 나노 크리스탈에 상기 전하가 충전되어 상기 전류가 급격하게 상승하는 비휘발성 메모리 소자
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청구항 7에 있어서, 상기 부저항 영역은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 전위차가 증가함에 따라 상기 나노 크리스탈의 전하가 부분적으로 충전 또는 방전되어 전위차가 증가해도 전류가 감소하는 비휘발성 메모리 소자
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기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 도너 물질 및 억셉터 물질을 포함하는 제 1 유기물층을 형성하는 단계;상기 제 1 유기물층 상에 상기 제 1 전극과 적어도 일부가 중첩되도록 나노 크리스탈층을 형성하는 단계;상기 나노 크리스탈층이 형성된 상기 제 1 유기물층 상에 도너 물질 및 억셉터 물질을 포함하는 제 2 유기물층을 형성하는 단계; 및상기 나노 크리스탈층과 적어도 일부가 중첩되도록 상기 제 2 유기물층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 나노 크리스탈층은 복수의 나노 크리스탈과 상기 나노 크리스탈을 감싸는 배리어층을 포함하며,상기 도너 물질은 P3HT를 포함하고, 상기 억셉터 물질은 PCBM([6,6]-phenyl-C61 butyric acid methyl ester)를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 유기물층은 상기 도너 물질 및 억셉터 물질이 혼합된 원료를 코팅하여 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 원료는 1 내지 99wt%의 도너 물질과 1 내지 99wt%의 억셉터 물질을 혼합하여 제작하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 나노 크리스탈층은 상기 제 1 유기물층 상에 금속층을 형성한 후 상기 금속층을 산소 플라즈마를 이용한 산화 공정을 통해 산화시켜 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 나노 크리스탈층은 상기 제 1 유기물층 상에 제 1 배리어층, 금속층 및 제 2 배리어층을 적층한 후 큐어링 공정을 실시하여 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 나노 크리스탈층은 배리어 물질로 둘러싸인 복수의 나노 크리스탈을 제조하고 유기물에 분산시킨 후 상기 제 1 유기물층에 코팅하여 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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