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제1 전극;상기 제1 전극에 전기적으로 연결되고, 직렬 연결된 제1 상변화 물질막과 제2 상변화 물질막을 갖는 상변화층; 및상기 상변화층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함하고,상기 상변화 물질막들의 비정질 상태 저항들, 결정화 온도들, 및 녹는점들은 하기 수학식들 1, 2, 및 4를 각각 만족하는 상변화 메모리 소자:[수학식 1]RaM1 003c# RaM2상기 수학식 1에서, RaM1은 상기 제1 상변화 물질막의 비정질 상태 저항이고, RaM2은 상기 제2 상변화 물질막의 비정질 상태 저항이고,[수학식 2]TcM1 003e# TcM2상기 수학식 2에서, TcM1은 상기 제1 상변화 물질막의 결정화 온도이고, TcM2은 상기 제2 상변화 물질막의 결정화 온도이고,[수학식 4]TmM1 003c# TmM2상기 수학식 4에서, TmM1은 상기 제1 상변화 물질막의 녹는점이고, TmM2은 상기 제2 상변화 물질막의 녹는점이다
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제1항에 있어서,상기 제1 상변화 물질막과 상기 제2 상변화 물질막은 GCT(GeCuTe), SST(SiSbTe), 및 GST(GeSbTe)로 이루어진 군에서 선택되는 두 가지의 물질막들인 상변화 메모리 소자
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제3항에 있어서,상기 제1 상변화 물질막은 GCT(GeCuTe)이고, 상기 제2 상변화 물질막은 GST(GeSbTe)인 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 상변화층은 제2 상변화 물질막에 직렬 연결된 제3 상변화 물질막을 더 포함하고, 상기 상변화 물질막들의 비정질 상태 저항들과 결정화 온도들은 하기 수학식들 5 및 6을 각각 만족하는 상변화 메모리 소자:[수학식 5]RaM1 003c# RaM2 003c# RaM3상기 수학식 5에서, RaM1은 상기 제1 상변화 물질막의 비정질 상태 저항이고, RaM2은 상기 제2 상변화 물질막의 비정질 상태 저항이고, RaM3은 상기 제3 상변화 물질막의 비정질 상태 저항이고,[수학식 6]TcM1 003e# TcM2 003e# TcM3상기 수학식 6에서, TcM1은 상기 제1 상변화 물질막의 결정화 온도이고, TcM2은 상기 제2 상변화 물질막의 결정화 온도이고, TcM3은 상기 제3 상변화 물질막의 결정화 온도이다
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제5항에 있어서,상기 상변화 물질막들의 녹는점들은 하기 수학식 8을 만족하는 상변화 메모리 소자:[수학식 8]TmM1 003c# TmM2 003c# TmM3상기 수학식 8에서, TmM1은 상기 제1 상변화 물질막의 녹는점이고, TmM2은 상기 제2 상변화 물질막의 녹는점이고, TmM3은 상기 제3 상변화 물질막의 녹는점이다
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제5항 또는 제6항에 있어서,상기 제1 상변화 물질막(M1)은 GCT(GeCuTe)이고, 상기 제2 상변화 물질막(M2)은 SST(SiSbTe)이고, 상기 제3 상변화 물질막(M3)은 GST(GeSbTe)인 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 상변화층 사이에 위치하는 제1 단부 히터를 더 포함하는 상변화 메모리 소자
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제8항에 있어서,상기 제2 전극과 상기 상변화층 사이에 위치하는 제2 단부 히터를 더 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 상변화 물질막과 상기 제2 상변화 물질막 사이에 위치하는 제1 중간히터를 더 포함하는 상변화 메모리 소자
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제5항에 있어서,상기 제2 상변화 물질막과 상기 제3 상변화 물질막 사이에 위치하는 제2 중간히터를 더 포함하는 상변화 메모리 소자
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