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단결정질의 부유 게이트를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141907
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 플래시 메모리를 제조하는 방법은 복수의 전극층들 및 복수의 층간 절연층들을 수직적으로 적층하는 단계; 상기 복수의 전극층들 및 복수의 층간 절연층들에 대하여 컨택트 홀을 형성하는 단계; 상기 복수의 전극층들 또는 상기 복수의 층간 절연층들을 수평 방향으로 에칭하는 단계; 및 상기 에칭을 통하여 형성된 공간에 단결정질의 반도체를 주입하여 부유 게이트 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020140010743 (2014.01.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0089757 (2015.08.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0093816-73
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0816574-22
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1041401-45
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0136575-01
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0748513-45
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1244261-34
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0066479-60
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0174098-23
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0174099-79
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0274377-26
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0584445-24
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0687930-05
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0687931-40
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0542464-65
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3차원 플래시 메모리에 있어서,컨택트 홀에 형성되는 채널층;상기 채널층과 연결되고, 수직적으로 적층되는 복수의 전극층들;상기 복수의 전극층들 각각과 상기 채널층 사이에 위치하고, 단결정질의 반도체로 형성되는 부유 게이트를 포함하는 3차원 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 부유 게이트는 단결정질의 3-5족 반도체 또는 단결정질의 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 전극층들 각각은 상기 부유 게이트를 통하여 상기 채널층과 접합되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
4 4
제1항에 있어서,상기 복수의 전극층들 각각과 상기 채널층 사이에는 인터레이어 산화막, 상기 부유 게이트 및 터널 산화막이 배치되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
5 5
3차원 플래시 메모리에 있어서,컨택트 홀에 형성되는 채널층;상기 채널층과 연결되고, 수직적으로 적층되는 복수의 전극층들;상기 복수의 전극층들과 교대로 배치되고, 수적적으로 적층되는 복수의 층간 절연층들; 및상기 복수의 층간 절연층들 각각에 삽입되는 단결정질의 반도체로 형성되는 부유 게이트를 포함하는 3차원 플래시 메모리
6 6
제5항에 있어서,상기 부유 게이트는 단결정질의 3-5족 반도체 또는 단결정질의 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
7 7
제5항에 있어서,상기 부유 게이트는 상기 복수의 층간 절연층들 각각과 동일한 계층에서 상기 채널층과 접합되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
8 8
복수의 전극층들 및 복수의 층간 절연층들을 수직적으로 적층하는 단계;상기 복수의 전극층들 및 복수의 층간 절연층들에 대하여 컨택트 홀을 형성하는 단계;상기 복수의 전극층들 또는 상기 복수의 층간 절연층들을 수평 방향으로 에칭하는 단계; 및상기 에칭을 통하여 형성된 공간에 단결정질의 반도체를 주입하여 부유 게이트 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리를 제조하는 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 부유 게이트를 형성하는 단계는기판의 물질을 에피택셜 성장킴으로써 상기 단결정질의 반도체를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리를 제조하는 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 컨택트 홀에 채워진 단결정질의 반도체에 대하여 에치-백(etch-back) 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리를 제조하는 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 복수의 전극층들 또는 상기 복수의 층간 절연층들을 수평 방향으로 에칭하는 단계는상기 복수의 전극층들 및 상기 복수의 층간 절연층들 각각을 수평 방향으로 에칭하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 정보통신기술인력양성사업 B4G 이동통신 시스템 네트워크 가상화 기반기술연구 및 인력 양성