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다치화가 가능한 상변화 물질 기반 3차원 아키텍쳐 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141770
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상변화 물질 기반 다치화 소자를 제공한다. 상기 소자는 기판 및 상기 기판 상에 배치된 제1 도전성 필라를 구비한다. 상기 기판 상에 상기 제1 도전성 필라의 일측에 상기 제1 도전성 필라와 이격하여 제2 도전성 필라가 배치된다. 상기 제1 및 제2 도전성 필라들 사이에서 상기 제1 및 제2 도전성 필라들에 전기적으로 접속하고, 서로 다른 상변화 특성을 갖고, 서로 이격된 하부 및 상부 상변화 물질막들이 배치된다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01)
출원번호/일자 1020130076875 (2013.07.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0004460 (2015.01.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0593083-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치된 제1 도전성 필라;상기 기판 상에 상기 제1 도전성 필라의 일측에 상기 제1 도전성 필라와 이격하여 배치된 제2 도전성 필라; 및 상기 제1 및 제2 도전성 필라들 사이에서 상기 제1 및 제2 도전성 필라들에 전기적으로 접속하고, 서로 다른 상변화 특성을 갖고, 서로 이격된 하부 및 상부 상변화 물질막들을 포함하는 상변화 물질 기반 다치화 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 상변화 물질막들은 서로 두께가 다른 상변화 물질 기반 다치화 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 상변화 물질막들은 서로 다른 조성을 갖는 상변화 물질 기반 다치화 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 하부 상변화 물질막 상에 배치되되, 상기 제1 도전성 필라에 접촉하고 상기 제2 도전성 필라와는 이격된 하부 도전성 패턴; 및상기 상부 상변화 물질막 상에 배치되되, 상기 제1 도전성 필라에 접촉하고 상기 제2 도전성 필라와는 이격된 상부 도전성 패턴을 더 포함하는 상변화 물질 기반 다치화 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 하부 도전성 패턴과 상기 하부 상변화 물질막 사이와 상기 상부 도전성 패턴과 상기 상부 상변화 물질막 사이에 각각 배치된 히터들을 더 포함하는 상변화 물질 기반 다치화 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 하부 상변화 물질막은 제1 하부 상변화 물질막이고, 상기 상부 상변화 물질막은 제1 상부 상변화 물질막이고,상기 기판 상에 상기 제1 도전성 필라의 타측에 상기 제1 도전성 필라와 이격하여 배치된 제3 도전성 필라; 및 상기 제1 및 상기 제3 도전성 필라들 사이에서 상기 제1 및 상기 제3 도전성 필라들에 전기적으로 접속하고, 서로 다른 상변화 특성을 갖고, 서로 이격된 제2 하부 상변화 물질막과 제2 상부 상변화 물질막을 더 포함하는 상변화 물질 기반 다치화 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 하부 상변화 물질막과 상기 제2 하부 상변화 물질막은 동일한 층 내에 배치되고,상기 제1 상부 상변화 물질막과 상기 제2 상부 상변화 물질막은 동일한 층 내에 배치된 상변화 물질 기반 다치화 소자
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 제1 하부 상변화 물질막과 상기 제2 하부 상변화 물질막은 서로 다른 상변화 특성을 갖고,상기 제1 상부 상변화 물질막과 상기 제2 상부 상변화 물질막은 서로 다른 상변화 특성을 갖는 상변화 물질 기반 다치화 소자
9 9
제6항에 있어서,상기 제1 하부 상변화 물질막 상에 배치되되, 상기 제1 도전성 필라에 접촉하고 상기 제2 도전성 필라와는 이격된 제1 하부 도전성 패턴;상기 제1 상부 상변화 물질막 상에 배치되되, 상기 제1 도전성 필라에 접촉하고 상기 제2 도전성 필라와는 이격된 제1 상부 도전성 패턴;상기 제2 하부 상변화 물질막 상에 배치되되, 상기 제1 도전성 필라에 접촉하고 상기 제3 도전성 필라와는 이격된 제2 하부 도전성 패턴; 및상기 제2 상부 상변화 물질막 상에 배치되되, 상기 제1 도전성 필라에 접촉하고 상기 제3 도전성 필라와는 이격된 제2 상부 도전성 패턴을 더 포함하는 상변화 물질 기반 다치화 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 제2 도전성 필라와 상기 제1 하부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 제1 하부 상변화 물질막의 폭은 상기 제3 도전성 필라와 상기 제2 하부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 제2 하부 상변화 물질막의 폭에 비해 좁고,상기 제2 도전성 필라와 상기 제1 상부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 제1 상부 상변화 물질막의 폭은 상기 제3 도전성 필라와 상기 제2 상부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 제2 상부 상변화 물질막의 폭에 비해 좁은 상변화 물질 기반 다치화 소자
11 11
제9항에 있어서,상기 제1 하부 도전성 패턴과 상기 제1 하부 상변화 물질막 사이와 상기 제1 상부 도전성 패턴과 상기 제1 상부 상변화 물질막 사이에 각각 배치된 제1 히터들; 및상기 제2 하부 도전성 패턴과 상기 제2 하부 상변화 물질막 사이와 상기 제2 상부 도전성 패턴과 상기 제2 상부 상변화 물질막 사이에 각각 배치된 제2 히터들을 더 포함하는 상변화 물질 기반 다치화 소자
12 12
기판 상에 하부 상변화 물질막과 상기 하부 상변화 물질막 상에 형성되고 일측에 상기 하부 상변화 물질막을 노출시키는 하부 도전성 패턴을 구비하는 하부 단위층;상기 하부 단위층 상에 상부 상변화 물질막과 상기 상부 상변화 물질막 상에 형성되고 일측에 상기 상부 상변화 물질막을 노출시키는 상부 도전성 패턴을 구비하는 상부 단위층;상기 상부 도전성 패턴, 상기 상부 상변화 물질막, 상기 하부 도전성 패턴, 및 상기 하부 상변화 물질막을 관통하는 제1 도전성 필라; 및상기 도전성 패턴들의 일측에서 상기 도전성 패턴들에 이격하여 상기 상부 상변화 물질막 및 상기 하부 상변화 물질막을 관통하는 제2 도전성 필라를 포함하되,상기 하부 상변화 물질막과 상기 상부 상변화 물질막이 서로 다른 상변화 특성을 갖거나, 상기 하부 도전성 패턴과 상기 상부 도전성 패턴이 서로 다른 도전성을 갖는 상변화 물질 기반 다치화 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 하부 단위층 내에서 상기 하부 도전성 패턴의 타측에서도 상기 하부 상변화 물질막이 노출되고, 상기 상부 단위층 내에서 상기 상부 도전성 패턴의 타측에서도 상기 상부 상변화 물질막이 노출되고,상기 도전성 패턴들의 타측에서 상기 도전성 패턴들에 이격하여 상기 상부 상변화 물질막 및 상기 하부 상변화 물질막을 관통하는 제3 도전성 필라를 더 포함하는 상변화 물질 기반 다치화 소자
14 14
제13항에 있어서,상기 제2 도전성 필라와 상기 하부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 하부 상변화 물질막의 폭은 상기 제3 도전성 필라와 상기 하부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 하부 상변화 물질막의 폭에 비해 좁고,상기 제2 도전성 필라와 상기 상부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 상부 상변화 물질막의 폭은 상기 제3 도전성 필라와 상기 상부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 상부 상변화 물질막의 폭에 비해 좁은 상변화 물질 기반 다치화 소자
15 15
기판 상에 하부 상변화 물질막과 상기 하부 상변화 물질막 상에 형성되고 일측에 상기 하부 상변화 물질막을 노출시키는 하부 도전성 패턴을 구비하는 하부 단위층을 형성하는 단계;상기 하부 단위층 상에 상부 상변화 물질막과 상기 상부 상변화 물질막 상에 형성되고 일측에 상기 상부 상변화 물질막을 노출시키는 상부 도전성 패턴을 구비하는 상부 단위층을 형성하는 단계;상기 상부 도전성 패턴, 상기 상부 상변화 물질막, 상기 하부 도전성 패턴, 및 상기 하부 상변화 물질막을 관통하는 제1 도전성 필라를 형성하는 단계; 및상기 도전성 패턴들의 일측에서 상기 도전성 패턴들에 이격하여 상기 상부 상변화 물질막 및 상기 하부 상변화 물질막을 관통하는 제2 도전성 필라를 형성하는 단계를 포함하되,상기 하부 상변화 물질막과 상기 상부 상변화 물질막이 서로 다른 상변화 특성을 갖거나, 상기 하부 도전성 패턴과 상기 상부 도전성 패턴이 서로 다른 도전성을 갖는 상변화 물질 기반 다치화 소자 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 하부 단위층 내에서 상기 하부 도전성 패턴의 타측에서도 상기 하부 상변화 물질막이 노출되고, 상기 상부 단위층 내에서 상기 상부 도전성 패턴의 타측에서도 상기 상부 상변화 물질막이 노출되고,상기 도전성 패턴들의 타측에서 상기 도전성 패턴들에 이격하여 상기 상부 상변화 물질막 및 상기 하부 상변화 물질막을 관통하는 제3 도전성 필라를 형성하는 단계를 더 포함하는 상변화 물질 기반 다치화 소자 제조방법
17 17
제15항에 있어서,상기 제2 도전성 필라와 상기 제3 도전성 필라는, 상기 제2 도전성 필라와 상기 하부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 하부 상변화 물질막의 폭이 상기 제3 도전성 필라와 상기 하부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 하부 상변화 물질막의 폭에 비해 좁고,상기 제2 도전성 필라와 상기 상부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 상부 상변화 물질막의 폭은 상기 제3 도전성 필라와 상기 상부 도전성 패턴 사이에 노출된 상기 상부 상변화 물질막의 폭에 비해 좁도록 형성하는 상변화 물질 기반 다치화 소자 제조방법
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