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실리콘 기판 상에 상이한 수직 단차를 갖는 미세구조물의제조 방법

  • 기술번호 : KST2015161053
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단결정 실리콘 기판 상에 상이한 단차를 갖는 미세 구조물을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 수직 단차를 형성한 후에 습식 식각을 수행하여, 상이한 단차를 갖는 미세 구조물을 바닥면으로부터 부유시켜 형성한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/3086(2013.01) H01L 21/3086(2013.01) H01L 21/3086(2013.01) H01L 21/3086(2013.01)
출원번호/일자 1020060046517 (2006.05.24)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0817813-0000 (2008.03.24)
공개번호/일자 10-2007-0106358 (2007.11.01) 문서열기
공고번호/일자 (20080331) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060038997   |   2006.04.28
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조동일 대한민국 서울 강남구
2 최병두 대한민국 서울 영등포구
3 백승준 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 조동일 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0363564-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0018627-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0162085-16
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0388685-87
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0467222-48
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0542742-61
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0625578-48
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0701346-24
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0701341-07
11 등록결정서
Decision to grant
2007.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0696646-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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단결정 실리콘 기판 상에 상이한 단차의 미세 구조물을 형성하는 방법으로서,단결정 실리콘 기판 상에 제1마스크층을 형성한 후에 패터닝하는 단계(a);상기 단계(a)를 수행한 후에, 상기 기판 상에 제2마스크층을 형성하고, 패터닝하되, 상기 제1마스크층의 일부분이 상기 제2마스크층에 의하여 덮여지지 않고 노출되도록 상기 제2마스크층을 패터닝하는 단계(b);상기 단계(b)를 수행한 후에, 상기 제1마스크층 또는 상기 제2마스크층을 사용하여 상기 기판을 식각하되, 상기 제2마스크층에 의하여 덮여지지 않고 노출된 상기 제1마스크층의 일부분이 함께 식각되어, 그 두께가 얇아지도록 식각하는 단계(c);상기 단계(c)를 수행한 후에, 상기 제2마스크층을 상기 기판으로부터 제거하는 단계(d);상기 단계(d)를 수행한 후에, 상기 제1마스크층을 사용하여 상기 기판을 식각하는 단계(e);상기 단계(e)의 식각에 의하여 형성된 트렌치의 측벽에 보호막을 형성하는 단계(f);상기 단계(f)를 수행한 후에, 상기 기판 상의 바닥면에 형성된 보호막을 제거하되, 두께가 얇아진 상기 제1마스크층의 일부분도 함께 제거하는 단계(j);상기 단계(j)를 수행한 후에, 상기 제1마스크층 및 보호막을 식각 마스크로 사용하여 상기 기판을 소정 깊이로 추가로 식각하는 단계(g);상기 단계(g)를 수행한 후에, 상기 기판을 습식식각하여 상기 추가로 식각된 트렌치의 바닥면에 캐비티(cavity)를 형성시킴으로써, 상이한 단차를 갖는 미세구조물을 상기 바닥면으로부터 부유시키는 단계(h); 및상기 단계(h)를 수행한 후에, 상기 측벽 보호막 및 제1마스크층을 제거하는 단계(i)를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단결정 실리콘 기판은 <111> 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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5 5
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6 6
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7 7
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(h)에서 알칼리 수용액을 사용하여 습식식각하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.