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극미세 다중 패턴의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015158747
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조공정에서의 측벽 패터닝 기법의 반복사용에 의해 극미세 다중 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 다중 패턴을 형성하고자 하는 층 위에 단차 형성을 위한 막을 반복 증착하고, 사진 및 식각 공정을 통해 단차를 형성하고, 측벽층을 증착 후 이방성 식각으로 측벽을 형성하고, 단차를 형성하고 있는 막을 선택적으로 습식 식각하고, 이 측벽을 하드 마스크로 하여 아래쪽의 단차 형성을 위한 막을 이방성 식각하고, 단차 위의 측벽을 제거하는 과정을 반복적으로 적용하여 극미세 다중 패턴을 형성하는 공정을 제공한다.극미세, 측벽 패터닝, 패턴, 패턴 간격, 선폭
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0337(2013.01)
출원번호/일자 1020010033065 (2001.06.13)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0396137-0000 (2003.08.18)
공개번호/일자 10-2003-0009572 (2003.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.06.13)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울 관악구
2 이종덕 대한민국 서울특별시동작구
3 정경훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 성석강 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2001-0140323-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2003-0004613-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0059444-61
5 의견서
Written Opinion		 2003.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0138180-42
6 등록결정서
Decision to grant		 2003.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0193161-55
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2003.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2003-5128252-91
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1

기판 위에 최종 패턴층, 제2 패턴층, 제1 패턴층을 차례로 증착하는 단계와, 상기 제1 패턴층에 사진 공정에 의해 1차 패턴을 형성하는 단계와, 측벽 패터닝 기법에 의해 제1 패턴층에 1차 측벽을 형성하는 1차 측벽 형성단계와, 상기 1차 측벽을 하드 마스크(hard mask)로 하여 그 밑의 상기 제2 패턴층을 식각하여 2차 패턴을 형성하는 단계와, 상기 2차 패턴 위에 제2 측벽층을 증착하여 측벽 패터닝 기법에 의해 2차 측벽을 형성하는 2차 측벽 형성 단계와, 상기 2차 측벽을 하드 마스크로 이용하여 최종 패턴층을 식각하여 패턴사이의 간격이 극히 미세한 패턴을 형성하는 패턴형성 단계를 포함하여 구성되는, 극미세 다중 패턴의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 최종 패턴층과 제2 패턴층 사이에 x개의 패턴층을 더 증착하는 단계와, 상기 2차 패턴 형성 단계후에 상기 측벽 형성단계와 패턴 형성단계를 x회 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 극미세 다중 패턴의 형성방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 측벽 패터닝 기법을 n번 반복하여 등간격의 다중 패턴을 형성할 때, k(k=2,3,…,n,n+1)번째 패턴 선폭(PWk)이 아래의 식(1)로 정의되고,

PWk=
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.