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나노 패턴 제조방법, 마스크 제조방법 및 나노 임프린트 리소그래피 방법

  • 기술번호 : KST2015160042
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 패턴을 제조하는 방법으로, 먼저 기판 상에 레지스트막을 형성하고, 형성된 레지스트막에 트렌치를 형성하기 위하여 몰드를 각인시킨다. 트렌치가 형성된 레지스트막 상에 금속을 퇴적시킨 후 에칭한다. 증착, 에칭, 리소그래피, 임프린트
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020080084079 (2008.08.27)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0025363 (2010.03.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.27)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권성훈 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0612108-44
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0109971-47
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0659880-08
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0659884-80
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803100-49
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0802978-29
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011620-36
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0228692-28
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0347558-21
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 패턴을 제조하는 방법으로서, 기판 상에 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 레지스트막에 나노 사이즈의 트렌치를 형성하기 위한 나노 피쳐 패턴을 갖는 몰드를 각인(imprint)시키는 단계; 상기 몰드를 각인시키는 단계에 의하여 상기 레지스트막에 형성된 상기 트렌치 상에 금속을 퇴적(deposit)시키는 단계로서, 상기 금속은 상기 트렌치 바닥면 상에는 퇴적되지 않는 각도로 퇴적되는 것인, 상기 금속 퇴적 단계; 상기 트렌치의 바닥면 하부에 배치된 잔여 레지스트막 부분을 에칭하는 단계 를 포함하는 나노 패턴 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 퇴적 단계는 증착법(evaporation)에 의해 수행되는 나노 패턴 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 증착법은 전자빔 증착법, 열 증착법, 레이저 유도 증착법, 및 이온빔 유도 증착법으로 구성되는 그룹에서 선택되는 나노 패턴 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 에칭 단계에서는 브레이크쓰루(breakthrough) 에칭법을 사용하는 나노 패턴 제조 방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각도는, 퇴적되는 상기 금속이 상기 레지스트막의 상부 표면과 상기 트렌치의 상부 측벽을 덮도록 결정되는 나노 패턴 제조 방법
6 6
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몰드는 실리콘 나노선 몰드를 포함하는 나노 패턴 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 몰드는 상기 몰드의 상기 레지스트막과의 접촉면 상에 배치되는 부착방지막(anti-sticking layer)을 포함하는 나노 패턴 제조 방법
8 8
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몰드를 각인시키는 단계는, 원하는 피쳐(feature) 패턴을 갖는 상기 몰드를 상기 레지스트막에 부착시키는 단계; 상기 몰드를 가압하고 가열하는 단계; 상기 몰드를 상기 레지스트막으로부터 탈착시키는 단계 를 포함하는 나노 패턴 제조 방법
9 9
마스크를 제조하는 방법으로서, 기판 상에 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 레지스트막을 몰딩시켜, 상기 레지스트막 내에, 트렌치와 상기 트렌치의 하부에 배치된 잔여 레지스트막 부분을 포함하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴 상에 금속을 퇴적(deposit)시키는 단계로서, 상기 금속은 상기 잔여 레지스트막 부분 상에는 퇴적되지 않는 각도로 퇴적되는 것인, 상기 금속 퇴적 단계; 상기 잔여 레지스트막 부분 하부의 상기 기판을 노출시키기 위해 상기 잔여 레지스트막 부분을 에칭하는 단계 를 포함하는 마스크 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 마스크는 이온 주입 마스크, 금속선(metal wire) 형성 마스크, 금속 도트(dot) 형성 마스크, 에칭 마스크 중에서 적어도 하나로 기능하는 마스크 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 금속 퇴적 단계는 증착법(evaporation)에 의해 수행되는 마스크 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 증착법은 전자빔 증착법, 열 증착법, 레이저 유도 증착법, 및 이온빔 유도 증착법으로 이루어진 그룹에서 선택되는 마스크 제조 방법
13 13
제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각도는, 상기 금속이 상기 레지스트 패턴의 상부 표면과 상기 트렌치의 상부 측벽을 덮도록 결정되는 마스크 제조 방법
14 14
제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에칭 단계는 산소 플라즈마 존재 하에서의 브레이크쓰루(breakthrough) 에칭법에 의해 수행되는 마스크 제조 방법
15 15
제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몰딩 단계는 실리콘 나노선 몰드를 이용하는 단계를 포함하는 마스크 제조 방법
16 16
제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 원하는 피쳐(feature) 패턴을 갖고, 상기 레지스트막과의 접촉면 상에 부착방지막(anti-sticking layer)이 형성된 몰드를 상기 레지스트막에 부착시키는 단계; 상기 몰드를 가압하고 가열하는 단계; 상기 몰드를 상기 레지스트막으로부터 탈착시키는 단계 를 포함하는 것인, 마스크 제조 방법
17 17
나노 임프린트 리소그래피 방법으로서, 기판 상에 레지스트막을 형성하는 단계; 원하는 피쳐(feature) 패턴을 갖고, 상기 레지스트막과의 접촉면 상에 부착방지막(anti-sticking layer)이 형성된 실리콘 나노선 몰드를 상기 레지스트막에 부착시키는 단계; 상기 실리콘 나노선 몰드를 가압하고 가열하는 단계; 상기 실리콘 나노선 몰드를 상기 레지스트막으로부터 탈착시키는 단계; 상기 실리콘 나노선 몰드로부터 전사된 피쳐 패턴을 갖는 상기 레지스트막 상에 금속을 퇴적(deposit)시키는 단계로서, 상기 금속은 상기 피쳐 패턴의 트렌치 바닥면 상에는 퇴적되지 않는 각도로 퇴적되는 것인, 상기 금속 퇴적 단계; 상기 트렌치 바닥면 하부에 배치된 잔여 레지스트막 부분을 에칭하는 단계 를 포함하는 나노 임프린트 리소그래피 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 각도는, 상기 금속이 상기 레지스트막의 상부 표면과 상기 트렌치의 상부 측벽을 덮도록 결정되는 것인, 나노 임프린트 리소그래피 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.