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높은 소자 수율을 나타내는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036536
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 하부 전극을 형성하는 공정과; 상기 하부 전극 위에 다층의 바이너리 금속 산화물 박막을 형성하는 공정과; 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 위에 상부 전극을 형성하는 공정;을 포함하여 이루어지며, 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 및 상기 상부 전극의 형성 공정은 상기 기판의 온도를 상온으로 유지하면서 상압보다 낮은 저압 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법을 제공한다. 저항 변화 기억 소자, 상온 박막 공정, 다층의 바이너리 금속 산화물 박막, 소자 수율
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090009942 (2009.02.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1009441-0000 (2011.01.12)
공개번호/일자 10-2010-0090586 (2010.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 양민규 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0076119-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0459811-27
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0712408-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0712405-71
6 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0603841-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면에 하부전극이 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 하부 전극 위에 다층의 바이너리 금속 산화물 박막을 형성하는 단계와; 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 위에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지며, 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 및 상기 상부 전극의 형성 단계는, 상기 기판의 온도를 15 - 80 ℃ 범위 내의 상온으로 유지하면서 상압보다 낮은 1 - 100 mTorr 범위 내의 저압 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하고, 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막은 MnO2층과 NiO층을 포함하여 다층으로 이루어지며, 상기 기판상에 NiO층을 먼저 형성하고 상기 NiO층 상에 MnO2층이 형성되는 것을 특징으로 하는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법
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삭제
3 3
삭제
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 백금(Pt)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극, 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 및 상기 상부 전극은, sputtering법, 펄스레이저 증착법, 증발법(thermal evaporation), 전자빔 증발법(electron-beam evaporation), 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD), 분자선 에피탁시 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 표면에 자연 산화막(SiO2)이 형성된 실리콘 기판이며, 상기 하부 전극 형성 공정 전에, 상기 기판 위에 상기 실리콘 기판과 상기 하부 전극의 접착력을 강화하는 접착층(adhesion layer)을 형성하는 것을 특징으로 하는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막은 RF sputtering 상온 박막 형성 공정에 의하고, 상기 RF sputtering 상온 박막 형성 공정은 RF power는 2 ~ 10 W/cm2 이고, Ar/O2 = 80/20 ~ 20/80인 것을 특징으로 하는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.