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고효율 저항 변화 기억 소자용 다층 금속 산화물 박막 구조물 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014049516
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화망간 또는 산화탄탈륨 바이너리 산화물을 포함하는 스위칭 소자 및 탄탈륨 상부전극을 포함하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물은 기판과, 상기 기판 위에 형성되며, 백금을 포함하여 이루어진 하부전극과, 상기 하부전극 상에 형성된 산화망간 또는 산화탄탈륨 바이너리 산화물 박막을 포함하는 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자 상에 형성된 탄탈륨을 포함하는 상부전극을 포함하여 이루어지고, 본 발명의 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 제조방법은 (a) 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계, (b) 상기 하부전극 상에 산화망간 또는 산화탄탈륨 바이너리 산화물 박막을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계 및 (c) 상기 바이너리 산화물 박막 상에 탄탈륨을 포함하는 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100086681 (2010.09.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1149436-0000 (2012.05.17)
공개번호/일자 10-2012-0024064 (2012.03.14) 문서열기
공고번호/일자 (20120524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 양민규 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0575495-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0058073-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0471519-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0832436-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0832430-28
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0180930-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0351876-18
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.05.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0351877-53
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0275179-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 기판, 또는 상기 실리콘 기판 상에 자연 산화층을 포함하는 기판과;상기 기판 위에 형성되며, 백금을 포함하여 이루어진 하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 산화탄탈륨 바이너리 산화물 박막을 포함하는 스위칭 소자; 및상기 스위칭 소자 상에 형성된 탄탈륨으로 이루어진 상부전극;을 포함하고, 상기 기판과 상기 하부전극 사이에 접착층을 더 포함하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
(a'') 실리콘 기판, 또는 상기 실리콘 기판 상에 자연 산화층을 포함하는 기판 상에 접착층을 형성하는 단계;(a) 상기 접착층이 형성된 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;(b) 상기 하부전극 상에 산화탄탈륨 바이너리 산화물 박막을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계; (b'') 상기 스위칭 소자를 2 mTorr 내지 760 Torr의 압력 및 300 내지 750 ℃의 온도에서 후열처리하는 단계; 및(c) 상기 바이너리 산화물 박막 상에 탄탈륨으로 이루어진 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 제조방법
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7 7
제4항에 있어서, 상기 하부전극 및 상부전극은 스퍼터링법, 펄스레이져 증착법, 열 증발법, 전자빔 증발법, 원자층 증착법 또는 분자선 에피틱시 증착법 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 것인 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 제조방법
8 8
제4항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 상온 및 상압 조건에서 RF 스퍼터링법으로 형성하는 것인 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.