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비전도성 기판 상에 하전 입자를 부착하는 방법
- 기술번호 : KST2014036978
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 비전도성 기판 상에 하전 입자를 부착하는 방법에 관한 것으로서, (1) 비전도성 기판의 일면을 친수성 처리하여 친수성 막을 형성한 후 이 기판을 반응기 내부의 전극 위에 위치시키는 단계; (2) 극성 액체 및 하전 입자를 상기 반응기에 도입하면서 상기 전극에 전압을 인가하여, 상기 기판의 친수성 막 상에 전도성 막을 형성하고 이 전도성 막 상에 하전 입자를 부착시키는 단계; 및 (3) 상기 친수성 막 및 전도성 막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이러한 본 발명의 방법에 의하면, 플라스틱 및 유리 기판과 같은 비전도성 기판에 하전 입자를 효율적으로 부착할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/20 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 21/2003(2013.01) H01L 21/2003(2013.01) H01L 21/2003(2013.01) H01L 21/2003(2013.01) H01L 21/2003(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100001794 (2010.01.08) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1104681-0000 (2012.01.04) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0081574 (2011.07.14) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120116) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.01.08) |
| 심사청구항수 | 8 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최만수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 2 | 한규희 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 제일특허법인(유) | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩) |
| 2 | 장성구 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.01.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0013065-99 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2010.01.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0005526-96 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.02.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0073409-97 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.02.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0073411-89 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.04.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0223927-36 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.06.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0483396-76 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0483382-37 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0659478-96 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 (1) 비전도성 기판의 일면에 대해 계면활성제의 코팅, 금속산화물 입자의 증착 또는 플라즈마 처리에 의해서 친수성 처리를 수행하여 친수성 막을 형성한 후 이 기판을 반응기 내부의 전극 위에 위치시키는 단계;(2) 극성 액체 및 하전 입자를 상기 반응기에 도입하면서 상기 전극에 전압을 인가하여, 상기 기판의 친수성 막 상에 전도성 막을 형성하고 이 전도성 막 상에 하전 입자를 부착시키는 단계; 및(3) 상기 친수성 막 및 전도성 막을 상온 대기중에서 유지하거나 30 내지 200℃의 온도에서 가열처리함으로써 휘발시켜 제거하는 단계를 포함하는, 하전 입자의 부착방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 친수성 막이 0 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 단계 (2)에서 극성 액체 및 하전 입자를 반응기에 순차적으로 또는 동시에 도입하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자의 부착방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 극성 액체가 쌍극자 모멘트를 가지거나 비대칭 극성 결합을 가짐으로써 전기전도도를 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자의 부착방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 극성 액체가 알콜, 물, 아세트산, 아세톤, 클로로폼, 클로로벤젠, 아닐린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 하전 입자의 부착방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 전도성 막이 0 |
| 8 |
8 제 4 항에 있어서,상기 단계 (2)에서, 극성 액체 도입 후 하전 입자의 도입에 앞서, 또는 극성 액체와 하전 입자 둘 다의 도입에 앞서 패턴-천공된 마스크를 기판 위에 위치시키는 것을 특징으로 하는, 하전 입자의 부착방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 패턴-천공된 마스크가 일면 또는 양면에 전극층 또는 이온층을 갖는 것임을 특징으로 하는, 하전 입자의 부착방법 |
| 10 |
10 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 서울대학교 산학협력단 | 도약연구지원사업 | 물질제조를 위한 나노입자 생성 및 제어기술 연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1104681-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100108 출원 번호 : 1020100001794 공고 연월일 : 20120116 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111110 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 비전도성 기판 상에 하전 입자를 부착하는 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
| 2 |
(의무자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
| 2 |
(권리자) 최만수 서울특별시 강남구... |
| 3 |
(의무자) 최만수 서울특별시 강남구... |
| 3 |
(권리자) 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2012년 01월 05일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2014년 12월 23일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2016년 12월 27일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 282,800 원 | 2017년 12월 21일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 404,000 원 | 2018년 12월 19일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 404,000 원 | 2020년 01월 03일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.01.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0013065-99 |
| 2 | 보정요구서 | 2010.01.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0005526-96 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.02.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0073409-97 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.02.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0073411-89 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2011.04.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0223927-36 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.06.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0483396-76 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0483382-37 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 9 | 등록결정서 | 2011.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0659478-96 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술번호 | KST2014036978 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 서울대학교 |
| 기술명 | 비전도성 기판 상에 하전 입자를 부착하는 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 비전도성 기판 상에 하전 입자를 부착하는 방법에 관한 것으로서, (1) 비전도성 기판의 일면을 친수성 처리하여 친수성 막을 형성한 후 이 기판을 반응기 내부의 전극 위에 위치시키는 단계; (2) 극성 액체 및 하전 입자를 상기 반응기에 도입하면서 상기 전극에 전압을 인가하여, 상기 기판의 친수성 막 상에 전도성 막을 형성하고 이 전도성 막 상에 하전 입자를 부착시키는 단계; 및 (3) 상기 친수성 막 및 전도성 막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이러한 본 발명의 방법에 의하면, 플라스틱 및 유리 기판과 같은 비전도성 기판에 하전 입자를 효율적으로 부착할 수 있다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345099523 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-0051698 |
| 연구과제명 | 물질제조를위한나노입자생성및제어기술연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200606~201102 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345169518 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2011-0031561 |
| 연구과제명 | 초고효율 에너지 변환용 삼차원 멀티구조체 병렬 조립 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201109~202008 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345120215 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-0051698 |
| 연구과제명 | 물질제조를 위한 나노입자 생성 및 제어기술 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200606~201102 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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