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유무기 복합 다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014037254
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유무기 복합 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 p형을 도핑한 유기물을 p형 반도체를 사용하여 전류 및 주파수 특성이 향상된 다이오드 및 그의 제조 방법에 대한 것이다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/002(2013.01) H01L 51/002(2013.01)
출원번호/일자 1020100077542 (2010.08.11)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0015214 (2012.02.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울특별시 송파구
2 강찬모 대한민국 경상남도 창원시 의창구
3 이현구 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0517387-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0077109-86
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0144933-69
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0364759-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0452641-87
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0452948-98
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0623130-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0232104-68
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 양극전극, 정공주입층, p형 반도체물질, n형 반도체물질, 전자주입층,음극전극 순서 또는 기판, 음극전극, 전자주입층, n형 반도체물질, p형 반도체물질, 정공주입층, 양극전극 순서로 이루어진 다이오드의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 양극전극, 음극전극은 ITO, AZO 또는 금속 및 합금(Au, Ag, Al, Ca, Cu, Mg, Mo, Mg:Ag, Li:Al 등)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다이오드
3 3
제 1항에 있어서, 정공주입층 및 전자주입층은 형성하거나 형성하지 않을 수 있고, 형성할 경우 얇은 금속, 유기물 또는 WO3, MoO3, V2O3와 같은 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 다이오드
4 4
제 1항에 있어서, p형 반도체물질은 유기물에 p형 물질(F4-TCNQ, I, C60, FeCl3, WO3, MoO3, ReO2등)로 도핑한 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 다이오드
5 5
제 1항에 있어서, n형 반도체물질은 intrinsic 또는 n형 도핑을 하거나 다른 물질(N, In, Ga, Sn, Li 등)을 도핑한 산화물 반도체물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 반도체기반기술개발사업 차세대 고성능 유기나노 소재 및 프린팅 공정기술 개발