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헤테로다인 광간섭 노광

  • 기술번호 : KST2014046962
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치 및 그 장치를 이용한 미세패턴 형성방법에 대한 것이다. 보다 상세하게는, 간섭 리소그래피 장치에 있어서, 동시에 2 이상의 서로 다른 파장을 갖는 레이저를 발진시키는 멀티 레이져 광원부; 광원부에서 발진된 레이저의 방향을 소정 방향으로 반사시키는 미러; 미러에 반사된 레이저의 조사면적을 확장시키는 빔확장기; 및 빔확장기에 의해 확장된 레이저에 의해 노광시킬 시편이 설치되는 베이스부와 확장된 레이저가 입사되어 베이스부로 반사시키는 반사부 및 베이스부와 반사부를 소정방향으로 회전시키는 회전부를 구비하는 회전 스테이지;를 포함하고, 시편에 서로 다른 방향으로 입사되는 파장에 의해 발생되는 복수의 제1차 간섭무늬 및 복수의 제1차간섭무늬가 서로 간섭되면서 발생되는 제2차 간섭무늬에 의해 시편에 보다 다양한 형태의 미세패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치에 대한 것이다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01)
출원번호/일자 1020100100177 (2010.10.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1105670-0000 (2012.01.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전광역시 유성구
2 강봉철 대한민국 대전광역시 유성구
3 노지환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0663333-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0066929-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0551140-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0862898-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0862896-27
7 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0706559-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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간섭 리소그래피 장치에 있어서, 동시에 2 이상의 서로 다른 파장을 갖는 레이저를 발진시키는 멀티 레이져 광원부;발진된 상기 레이저의 조사면적을 확장시키는 빔확장기; 및상기 빔확장기에 의해 확장된 상기 레이저에 의해 노광시킬 시편이 설치되는 베이스부와 확장된 상기 레이저가 입사되어 상기 베이스부로 반사시키는 반사부 및 상기 베이스부와 상기 반사부를 소정방향으로 회전시키는 회전부를 구비하는 회전 스테이지;를 포함하고, 상기 시편에 서로 다른 방향으로 입사되는 파장에 의해 발생되는 복수의 제1차간섭무늬 및 복수의 상기 제1차간섭무늬가 서로 간섭되면서 발생되는 제2차 간섭무늬에 의해 상기 시편에 미세패턴이 형성되며, 상기 미세패턴은 나노크기의 나노패턴과 마이크로 크기의 마이크로패턴을 포함하며, 상기 파장의 길이는 상기 나노패턴의 크기를 결정하고, 서로 다른 파장 각각의 파장차이는 상기 마이크로패턴의 크기를 결정하고, 상기 파장의 중첩 개수는 상기 마이크로패턴의 밀도와 크기를 결정하고, 각각의 상기 파장의 강도차이는 상기 나노패턴의 크기와 상기 마이크로패턴의 크기를 결정하고, 상기 회전부에 의한 상기 시편의 회전정도는 상기 마이크로패턴의 모양을 결정하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
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3 3
삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 멀티 레이져 광원부는 멀티 아르곤 이온 레이저 주사장치인 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 멀티 아르곤 이온 레이저 주사장치는 각각이 300~700nm 사이에 서로 다른 복수의 파장을 갖는 레이저가 발진되는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 멀티레이저 광원부와 상기 빔 확장기 사이에 설치되어 서로 다른 파장 각각의 경로를 분리하는 경로분리수단과 상기 경로분리수단에 의해 분리된 상기 파장 각각의 강도를 조절하는 강도 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 빔확장기와 상기 회전스테이지 사이에 설치되어 상기 레이저의 광량을 조절하는 광량조절기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
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제 7 항에 있어서, 상기 광량조절기와 상기 회전 스테이지 사이에 설치되는 줄맞춤 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 멀티 레이저 광원부에서 발진되는 상기 레이저의 노광시간을 조절하는 전기셔터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
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제 1 항의 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치를 이용한 미세패턴 형성방법에 있어서, 멀티 레이져 광원부에서 서로 다른 파장을 갖는 레이저가 발진되는 단계;빔 확장기에 의해 상기 레이저의 조사면적을 확장시키는 단계; 및확장된 상기 레이저가 회전 스테이지에 조사되어 간섭에 의해 회전 스테이지에 설치된 시편에 미세패턴을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 미세패턴 형성단계에서,상기 시편에 직접 조사되는 레이저와 상기 회전스테이지의 반사부에서 반사되어 시편에 조사되는 레이저 사이에서 발생되는 간섭무늬에 따라 상기 시편에 미세패턴이 형성되고, 상기 간섭무늬는 각각의 파장에 의해 발생되는 제1차 간섭무늬와 상기 제1차 간섭무늬가 서로 간섭되면서 발생되는 제2차 간섭무늬가 존재하고,상기 미세패턴은 나노 크기의 나노패턴과 마이크로미터 크기의 마이크로패턴이 동시에 형성되며, 상기 미세패턴 형성단계는상기 회전스테이지의 회전부에 의해 상기 시편이 장착되는 베이스부와 상기 반사부의 각도를 변화시키는 단계를 더 포함하고, 상기 파장의 길이는 상기 나노패턴의 크기를 결정하고, 서로 다른 파장 각각의 차이는 상기 마이크로패턴의 크기를 결정하고, 상기 파장의 중첩 개수는 상기 마이크로패턴의 밀도와 크기를 결정하고, 각각의 상기 파장의 강도차이는 상기 나노패턴의 크기와 상기 마이크로패턴의 크기를 결정하고, 상기 회전부에 의한 상기 시편의 회전정도는 상기 마이크로패턴의 모양을 결정하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치를 이용한 미세패턴 형성방법
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제 10 항에 있어서, 상기 발진단계 후에, 경로분리수단에 의해 상기 레이저를 파장별로 경로를 분리하는 단계 및 분리된 상기 파장 각각의 강도를 강도 조절부에 의해 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치를 이용한 미세패턴 형성방법
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제 10 항에 있어서, 상기 확장단계 후에,광량조절기에 의해 상기 레이저의 광량을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치를 이용한 미세패턴 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.