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리소그래피용 메타-포토레지스트

  • 기술번호 : KST2015116599
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 회절 한계 이하의 미세 패턴이 형성된 마스크 패턴을 기재에 전사할 수 있는 메타-포토레지스트 및 이를 이용한 리소그래피 방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 메타-포토레지스트는 감광성 수지층과 서로 이격 배열된 금속 입자의 층인 금속 입자층을 포함하며, 본 발명에 따른 리소그래피 방법은 리소그래피 대상 기재과 접하는 면을 최하부면으로 하여, 상기 최하부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하고, 이와 독립적으로, 상기 최하부면의 대응면인 최상부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하도록, 상기 대상 기재 상 감광성 수지층과 금속층을 교번 적층하여 적층체를 형성하는 단계; b1) 상기 적층체에 에너지를 인가하여 상기 금속층을 서로 이격 배열된 금속 입자의 층으로 입자화하여 메타-포토레지스트를 형성하는 단계; 및 c1) 마스크를 이용하여 상기 메타-포토레지스트를 노광하고, 노광된 메타-포토레지스트를 현상하는 단계;를 포함한다.
Int. CL G03F 7/11 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) G03F 7/26 (2006.01.01)
CPC G03F 7/11(2013.01) G03F 7/11(2013.01) G03F 7/11(2013.01) G03F 7/11(2013.01)
출원번호/일자 1020130078563 (2013.07.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-2138089-0000 (2020.07.21)
공개번호/일자 10-2015-0005156 (2015.01.14) 문서열기
공고번호/일자 (20200728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.11)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정기훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 이영섭 대한민국 강원도 원주시 평원초교
3 김재범 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0604246-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-5002869-44
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0463085-76
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0100871-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0809639-67
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1309535-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0364013-50
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.06.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0645435-25
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-0645459-10
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0482199-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
감광성 수지층 및 서로 이격 배열된 금속 입자의 층인 금속 입자층을 포함하며, 상기 금속 입자층은 상기 감광성 수지층에 함입된, 리소그래피용 메타-포토레지스트
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 메타-포토레지스트는 리소그래피 대상인 기재와 접하는 면을 최하부면으로, 상기 최하부면과 대향하는 면을 최상부면으로 하여, 적어도 상기 최하부면 또는 최상부면에 위치하는 금속 입자층을 더 포함하는 리소그래피용 메타-포토레지스트
4 4
제 1항에 있어서,상기 메타-포토레지스트의 두께는 50 내지 500nm인 리소그래피용 메타-포토레지스트
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속 입자의 평균 직경은 5 내지 150nm인 리소그래피용 메타-포토레지스트
6 6
제 1항 및 제 3항 내지 제 5항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 메타-포토레지스트는 N개(2≤N≤8)의 상기 금속 입자층을 포함하는 리소그래피용 메타-포토레지스트
7 7
감광성 수지층과 금속층이 교번 적층된 적층체를 포함하는 리소그래피용 메타-포토레지스트
8 8
제 7항에 있어서,상기 금속층의 두께는 5 내지 50nm인 리소그래피용 메타-포토레지스트
9 9
제 7항에 있어서,상기 감광성 수지층의 두께는 5 내지 100nm인 리소그래피용 메타-포토레지스트
10 10
제 7항 내지 제 9항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 메타-포토레지스트는 N개(2≤N≤8)의 금속층을 포함하며, 리소그래피 대상인 기재와 접하는 면을 최하부면으로, 상기 최하부면과 대향하는 면을 최상부면으로 하여, 상기 최하부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하고, 이와 독립적으로 상기 최상부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하는 리소그래피용 메타-포토레지스트
11 11
감광성 수지층에 분산 함입된 금속 입자를 포함하는 리소그래피용 메타-포토레지스트
12 12
제 11항에 있어서,상기 메타-포토레지스트는 감광성 수지층의 감광성 수지 100 중량부를 기준으로, 20 내지 200 중량부의 금속 입자를 포함하는 리소그래피용 메타-포토레지스트
13 13
제 11항에 있어서,상기 금속 입자의 평균 직경은 5 내지 150nm인 리소그래피용 메타-포토레지스트
14 14
제 11항에 있어서,상기 메타-포토레지스트는 상기 감광성 수지층 표면에 위치하는 금속 입자를 더 포함하며, 상기 금속 입자가 위치하는 감광성 수지층의 표면은 리소그래피 대상인 기재와 접하는 면을 최하부면으로, 상기 최하부면과 대향하는 면을 최상부면으로 하여, 상기 최하부면과 상기 최상부면에서 선택되는 표면 영역인 메타-포토레지스트
15 15
제 1항, 제 7항 또는 제 11항에 있어서,상기 메타-포토레지스트에 함유되는 금속은 은, 금, 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금인 메타-포토레지스트
16 16
a) 리소그래피 대상 기재과 접하는 면을 최하부면으로 하여, 상기 최하부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하고, 이와 독립적으로, 상기 최하부면의 대응면인 최상부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하도록, 상기 대상 기재 상 감광성 수지층과 금속층을 교번 적층하여 적층체를 형성하는 단계; b1) 상기 적층체에 에너지를 인가하여, 상기 금속층을 서로 이격 배열된 금속 입자의 층으로 입자화하여 메타-포토레지스트를 형성하는 단계; 및c1) 마스크를 이용하여 상기 메타-포토레지스트를 노광하고, 노광된 메타-포토레지스트를 현상하는 단계;를 포함하는 리소그래피 방법
17 17
a) 리소그래피 대상 기재과 접하는 면을 최하부면으로 하여, 상기 최하부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하고, 이와 독립적으로, 상기 최하부면의 대응면인 최상부면에 감광성 수지층 또는 금속층이 위치하도록, 상기 대상 기재 상 감광성 수지층과 금속층을 교번 적층하여 적층체를 형성하는 단계;b2) 마스크를 이용하여 상기 적층체를 노광하는 단계;c2) 노광된 상기 적층체에 에너지를 인가하여, 상기 금속층을 서로 이격 배열된 금속 입자의 층으로 입자화하는 단계;d) 금속층이 입자화된 상기 적층체를 현상하는 단계;를 포함하는 리소그래피 방법
18 18
제 16항 또는 제 17항에 있어서,상기 금속층의 두께는 5 내지 50nm인 리소그래피 방법
19 19
제 16항 또는 제 17항에 있어서,상기 적층체는 N개(2≤N≤8)의 상기 금속층을 포함하는 리소그래피 방법
20 20
제 16항 또는 제 17항에 있어서,인가되는 상기 에너지는 열 에너지, 진동 에너지 및 광 에너지에서 하나 이상 선택되는 에너지인 리소그래피 방법
21 21
제 20항에 있어서,상기 입자화는 100 내지 300℃로 열처리하여 이루어지는 리소그래피 방법
22 22
제 16항 또는 제 17항에 있어서,상기 적층체에 함유되는 금속은 은, 금, 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금인 리소그래피 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 나노소재기술개발사업 메타렌즈어레이기반 대면적 고속 나노리소그래피 플렛폼 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술원 중견연구자지원사업 자연 포토닉구조의 나노공학기반 영감기술
3 미래창조과학부 한국과학기술원 글로벌프론티어사업 다차원 내시현미경센서 시스템
4 산업통상자원부 (주)엠지비엔도스코피 지식경제기술혁신사업 검진용 삽입관(5mm, 일회용)과 시술용 삽입관(8mm)의 교환 장착이 가능한 HD급 3D 전자내시경 시스템 개발(2/5)