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하부 전극;
상기 하부 전극 상에 저항변화막; 및
상기 저항변화막 상의 상부 전극을 포함하되,
상기 저항변화막은 상기 상부 전극과 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 전도성 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 전도성 고분자막은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜){poly (3,4-ethylenedioxythiophene)}과 폴리(스티렌술포네이트){poly (styrenesulfonate)}의 균일한 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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제 2 항에 있어서,
상기 혼합물은 상기 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜){poly (3,4-ethylenedioxythiophene)}과 상기 폴리(스티렌술포네이트){poly (styrenesulfonate)}가 1:0
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제 1 항에 있어서,
상기 저항변화막은 상기 상부 전극과 상기 전도성 고분자의 반응에 의해 형성되는 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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제 4 항에 있어서,
상기 산화막의 두께는 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 중 적어도 하나에 인가되는 전압에 의해 변하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 상부 전극과 상기 하부 전극 중 적어도 하나에 인가되는 전압에 의해 상기 저항변화막 내의 전하 트랩 사이트 수가 변화되는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 하부 전극과 상기 저항변화막 사이에 개재되는 자연산화막(native oxide)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 상부 전극과 상기 하부 전극 중 적어도 하나는 알루미늄, 티타늄, 니켈, 크롬, 은, 백금 및 텅스텐을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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제 8 항에 있어서,
상기 산화막은 상기 금속의 산화막인 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 저항변화막은 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 중 적어도 하나에 인가되는 전압에 따라 복수의 전도도 상태를 가지는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
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하부 전극을 형성하는 단계;
상기 하부전극 상에 저항변화막을 형성하는 단계; 및
상기 저항변화막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 저항변화막은 상기 상부전극과 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 전도성 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치의 형성 방법
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제 11 항에 있어서,
상기 상부전극을 형성하는 동안, 상기 상부전극과 상기 저항변화막 사이에 상기 산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치의 형성 방법
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제 11 항에 있어서,
상기 전도성 고분자막은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜){poly (3,4-ethylenedioxythiophene)}과 폴리(스티렌술포네이트){poly (styrenesulfonate)}의 균일한 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치의 형성 방법
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제 13 항에 있어서,
상기 혼합물은 상기 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜){poly (3,4-ethylenedioxythiophene)}과 상기 폴리(스티렌술포네이트){poly (styrenesulfonate)}가 1:0
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