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플라즈마 손상 측정장치

  • 기술번호 : KST2015086132
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전체 메모리, 상변화 메모리, 및 캐패시턴스 중 하나를 이용하여 구현함으로써, 플라즈마 손상의 정량적 해석이 가능하면서 공정 개발 과정에서의 소요비용이 감소될 수 있도록 하는 플라즈마 손상 측정장치에 관한 것으로, 판 형태의 금속 패턴을 통해 플라즈마로부터 유도된 전하를 축적하는 안테나 구조체; 및 상기 안테나 구조체의 하부에 연결되어 상기 금속 패턴에 축적된 전하에 의해 전기적 특성이 가변되는 반도체 소자를 포함하며, 상기 반도체 소자는 상기 금속 패턴에 축적된 전하에 따라, 강유전체 물질의 분극 정도가 변화되는 강유전체 메모리, 상변화 물질의 상이 변화되는 상변화 메모리, 및 위상 천이가 발생하는 캐패시턴스 중 하나인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100052670 (2010.06.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0133115 (2011.12.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우종창 대한민국 경기도 부천시 원미구
2 김관하 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0358865-44
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0365676-86
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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판 형태의 금속 패턴을 통해 플라즈마로부터 유도된 전하를 축적하는 안테나 구조체; 및 상기 안테나 구조체의 하부에 연결되어 상기 금속 패턴에 축적된 전하에 의해 전기적 특성이 가변되는 반도체 소자를 포함하며, 상기 반도체 소자는 상기 금속 패턴에 축적된 전하에 따라, 강유전체 물질의 분극 정도가 변화되는 강유전체 메모리, 상변화 물질의 상이 변화되는 상변화 메모리, 및 위상 천이가 발생하는 캐패시턴스 중 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 손상 측정 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.