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상변화 메모리 소자 및 그의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015082758
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 발열층을 상이한 물성을 갖는 두 개의 층으로 구성한 상변화 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 상변화 메모리 소자는 최적의 발열 특성을 갖는 발열층을 제공하기 때문에 신뢰성이 높고 동작 특성이 우수한 상변화 메모리 소자를 제조할 수 있다.상변화 메모리, 제 1 발열층, 제 2 발열층, 폴리 실리콘저매늄, TiN |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070043800 (2007.05.04) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0825767-0000 (2008.04.22) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080429) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020060122618 | 2006.12.05
|
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.05.04) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이승윤 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 박영삼 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 3 | 윤성민 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 4 | 최규정 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 5 | 이남열 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 6 | 유병곤 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.05.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0336522-02 |
| 2 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.03.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0154511-67 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판 상에 형성된 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 형성된 상부 전극 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 형성된 상변화 메모리층을 포함하는 상변화 메모리 소자로서,상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극과 상기 상변화 메모리층 사이에 발열층을 더 포함하고,상기 발열층이 상기 상변화 메모리층과 면접하는 제 1 발열층과 상기 제 1 발열층에 면접하면서 상기 제 1 발열층과 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 사이에 위치하는 제 2 발열층을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 발열층을 이루는 물질의 비저항이 상기 제 2 발열층을 이루는 물질의 비저항보다 작은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 발열층이 티타늄 나이트라이드(TiN)로 되어 있고, 상기 제 2 발열층이 폴리실리콘(poly Si) 또는 폴리실리콘저매늄(poly SiGe)으로 된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 발열층이 티타늄의 확산을 차단할 수 있는 물질로 된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 발열층이 TaN, TiAlN, WN, WBN, TiSiN, TaSiN, WSiN, TiSiC, TaSiC, WSiC, 및 저 비저항 TiN으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 발열층이 고 비저항 TiN인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 5 항에 있어서, 상기 저 비저항 TiN의 비저항이 100 μΩ·cm 이하인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 발열층을 이루는 물질의 비저항이 상기 제 2 발열층을 이루는 물질의 비저항보다 크고, 상기 제 2 발열층을 이루는 물질의 열전도도가 상기 제 1 발열층을 이루는 물질의 열전도도보다 작은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 발열층의 물질이 TiAlN이고, 상기 제 2 발열층의 물질이 TaN, TiN 또는 폴리 실리콘저매늄인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 10 |
10 하부 전극을 포함하는 기판 위에 제 1 발열물질층 및 제 2 발열물질층을 포함하는 발열물질층을 형성하는 단계;상기 발열물질층을 식각하여 제 1 발열층 및 제 2 발열층을 포함하는 발열층을 형성하는 단계;상기 절연층을 형성하는 단계;상기 발열층의 적어도 일부분이 노출되도록 상기 절연층에 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀 내부에 상변화 물질을 형성하는 단계; 및상기 상변화 물질 위에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 11 |
11 하부 전극을 포함하는 기판 위에 절연층을 형성하는 단계;상기 하부 전극의 적어도 일부분이 노출되도록 상기 절연층에 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀을 채워 제 2 발열층을 형성하는 단계;상기 제 2 발열층 위에 제 1 발열층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 발열층 위에 상변화 물질층 및 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 발열층을 이루는 물질의 비저항이 상기 제 2 발열층을 이루는 물질의 비저항보다 작은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 발열층이 티타늄 나이트라이드(TiN)로 되어 있고, 상기 제 2 발열층이 폴리실리콘(poly Si) 또는 폴리실리콘저매늄(poly SiGe)으로 된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 발열층이 티타늄의 확산을 차단할 수 있는 물질로 된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 발열층이 TaN, TiAlN, WN, WBN, TiSiN, TaSiN, WSiN, TiSiC, TaSiC, WSiC, 및 저 비저항 TiN으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 발열층이 고 비저항 TiN인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 15 항에 있어서, 상기 저 비저항 TiN의 비저항이 100 μΩ·cm 이하인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 18 |
18 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 발열층을 이루는 물질의 비저항이 상기 제 2 발열층을 이루는 물질의 비저항보다 크고, 상기 제 2 발열층을 이루는 물질의 열전도도가 상기 제 1 발열층을 이루는 물질의 열전도도보다 작은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 18 항에 있어서, 상기 제 1 발열층의 물질이 TiAlN이고, 상기 제 2 발열층의 물질이 TaN, TiN 또는 폴리 실리콘저매늄인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07767994 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US08872146 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | US20080128676 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20100258780 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2008128676 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US2010258780 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US7767994 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US8872146 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
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- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-0825767-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070504 출원 번호 : 1020070043800 공고 연월일 : 20080429 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080320 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 상변화 메모리 소자 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20160423 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 460,500 원 | 2008년 04월 23일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2011년 04월 11일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2012년 03월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2013년 03월 25일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 366,000 원 | 2014년 03월 27일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 366,000 원 | 2015년 03월 27일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.05.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0336522-02 |
| 2 | 등록결정서 | 2008.03.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0154511-67 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1440000673 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-S-072-02 |
| 연구과제명 | 나노급상변화정보저장기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200601~200612 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1440001198 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2003-S-090 |
| 연구과제명 | 나노급상변화정보저장기술 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2005 |
| 연구기간 | 200312~200612 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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