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ＧＳＴ 칼코게나이드 패턴을 포함하는 상변화 메모리소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015082485
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상변화 메모리 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상부에 상변화 재료로 이용되는 GST 칼코게나이드층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 GST 칼코게나이드층 상에 하드 마스크 패턴을 형성한다. 식각 가스로 아르곤 가스와 사불화 탄소 가스의 혼합가스를 이용하는 헬리콘 플라즈마 건식 식각 장치로, 상기 GST 칼코게나이드층에 대해 식각 선택비가 높은 상기 하드 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 GST 칼코게나이드층을 건식 식각하여 GST 칼코게나이드 패턴을 형성한다. 상기 하드 마스크 패턴은 티타늄 질화 패턴으로 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060120078 (2006.11.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0779099-0000 (2007.11.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060082316   |   2006.08.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.30)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전 서구
2 최규정 대한민국 대전 유성구
3 유병곤 대한민국 대전 유성구
4 이승윤 대한민국 대전 유성구
5 박영삼 대한민국 대전 서구
6 이남열 대한민국 대전 유성구
7 류상욱 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0891711-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058673-97
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0577148-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상부에 상변화 재료로 이용되는 GST 칼코게나이드층을 형성하는 단계; 상기 GST 칼코게나이드층 상에 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 식각 가스로 아르곤 가스와 사불화 탄소 가스의 혼합가스를 이용하는 헬리콘 플라즈마 건식 식각 장치로, 상기 GST 칼코게나이드층에 대해 식각 선택비가 높은 상기 하드 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 GST 칼코게나이드층을 건식 식각하여 GST 칼코게나이드 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 하드 마스크 패턴은 티타늄 질화 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 헬리콘 플라즈마 건식 식각 장치로 상기 GST 칼코게나이드 패턴을 형성할 때, RF 전력은 500W(와트) 내지 1200와트(W)이고, RF 바이어스 전력은 100와트(W) 내지 600와트(W)이고, 챔버의 압력은 3mTorr 내지 5mTorr인 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 GST 칼코게나이드층을 건식 식각할 때, 아르곤 가스와 사불화 탄소 가스의 혼합 가스에 대한 사불화 탄소 가스의 비(CF4/Ar+CF4)는 10% 내지 60%의 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 GST 칼코게나이드층을 건식 식각할 때, 아르곤 가스와 사불화 탄소 가스의 혼합 가스에 대한 사불화 탄소 가스의 비(CF4/Ar+CF4)는 20%의 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 GST 칼코게나이드층을 건식 식각할 때, 아르곤 가스와 사불화 탄소 가스의 혼합 가스에 대한 사불화 탄소 가스의 비(CF4/Ar+CF4)가 증가함에 따라 상기 티타늄 질화 패턴에 대한 상기 GST 칼코게나이드층의 식각 선택비는 감소하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 티타늄 질화 패턴은,상기 GST 칼코게나이드층 상에 티타늄 질화층을 형성하는 단계와, 상기 티타늄 질화층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 티타늄 질화층을 아르곤 가스와 염소 가스의 혼합가스를 식각 가스로 이용하는 헬리콘 플라즈마 건식 식각 장치로 건식 식각하여 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 티타늄 질화층을 건식 식각할 때, 아르곤 가스와 염소가스의 혼합 가스에 대한 염소 가스의 비(Cl2/Ar+Cl2)는 10% 내지 60%의 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 티타늄 질화층을 건식 식각할 때, 아르곤 가스와 염소가스의 혼합 가스에 대한 염소 가스의 비(Cl2/Ar+Cl2)는 20% 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 티타늄 질화 패턴을 형성하기 위한 건식 식각시 상기 티타늄 질화층 상에 형성된 포토레지스트 패턴은 제거되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 헬리콘 플라즈마 건식 식각 장치로 상기 티타늄 질화층을 건식 식각할 때, RF 전력은 500W(와트) 내지 1200와트(W)이고, RF 바이어스 전력은 100와트(W) 내지 600와트(W)이고, 챔버의 압력은 3mTorr 내지 5mTorr인 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법
12 12
반도체 기판 상에 실리콘 산화층을 형성하는 단계;상기 실리콘 산화층 상에 하부 금속 전극층 및 발열성 금속 전극층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 발열성 금속 전극층 상에 상변화 재료로 이용되는 GST 칼코게나이드층을 형성하는 단계; 상기 GST 칼코게나이드층 상에 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계; 식각 가스로 아르곤 가스와 사불화 탄소 가스의 혼합가스를 이용하는 헬리콘 플라즈마 건식 식각 장치로, 상기 GST 칼코게나이드층에 대해 식각 선택비가 높은 상기 하드 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 GST 칼코게나이드층을 건식 식각하여 GST 칼코게나이드 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 하드 마스크 패턴 상에 상부 금속 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 하드 마스크 패턴은 티타늄 질화 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 GST 칼코게나이드층을 건식 식각할 때, 아르곤 가스와 사불화 탄소 가스의 혼합 가스에 대한 사불화 탄소 가스의 비(CF4/Ar+CF4)는 10% 내지 60%의 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 티타늄 질화 패턴은,상기 GST 칼코게나이드층 상에 티타늄 질화층을 형성하는 단계와, 상기 티타늄 질화층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 티타늄 질화층을 아르곤과 염소의 혼합가스를 식각 가스로 이용하는 헬리콘 플라즈마 건식 식각 장치로 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 티타늄 질화층을 건식 식각할 때, 아르곤 가스와 염소 가스의 혼합 가스에 대한 염소 가스의 비(Cl2/Ar+Cl2)는 10% 내지 60%의 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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1 JP20060541 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 JP2008060541 JP 일본 DOCDBFAMILY
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