요약 | 플렉서블 수직 발광다이오드로서, 플렉서블 기판 상에 형성되며, 서로 이격된 복수 개의 발광다이오드 단위 소자층; 상기 소자층 상부 및 소자층 측면에 노출된 금속전극층을 포함하며, 여기에서 상기 단위 소자층은 n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 포함하며, 상기 소자층 상부의 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이루며, 상기 소자층 측면에 노출된 금속전극층은 상기 p-GaN층과 오믹컨택을 이루는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드가 제공된다. |
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Int. CL | H01L 33/32 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01) |
CPC | H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130013961 (2013.02.07) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-1362516-0000 (2014.02.06) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20140214) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.02.07) |
심사청구항수 | 12 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이건재 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 이승현 | 대한민국 | 충남 아산시 |
3 | 손정환 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0116592-80 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0020482-86 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0179342-93 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.12.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.01.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0001036-41 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.01.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0047877-71 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.01.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0065006-17 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.01.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0076139-74 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 플렉서블 수직 발광다이오드로서, 플렉서블 기판 상에 형성되며, 서로 이격된 복수 개의 발광다이오드 단위 소자층;상기 소자층 상부 및 소자층 측면에 노출된 금속전극층을 포함하며, 여기에서 상기 단위 소자층은 n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 포함하며, 상기 소자층 상부의 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이루며, 상기 소자층 측면에 노출된 금속전극층은 상기 p-GaN층과 오믹컨택을 이루는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 단위 소자층은 희생기판에서 제조된 후, 상기 희생기판에 조사되는 레이저에 의하여 상기 희생기판으로부터 분리된 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 |
3 |
3 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법으로, 희생 기판 상에 버퍼층, n-GaN층, 다중양자우물층(MQW ), p-GaN층을 순차적으로 적층시켜 발광다이오드 소자층을 제조하는 단계; 상기 제조된 발광다이오드 소자층에 합금층을 전사한 후, 전사기판에 공융접합시켜, 상기 소자층을 고정시키는 단계; 상기 희생기판 후면에 레이저를 조사하여, 상기 발광다이오드 소자층을 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 분리된 발광다이오드 소자층을 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법 |
4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 발광다이오드 소자층은 서로 이격된 복수 개의 단위 발광 다이오드 소자층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법 |
5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법은, 상기 n-GaN층 및 상기 p-GaN층과 접촉하는 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법 |
6 |
6 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 플렉서블 수직 발광다이오드를 광원으로 포함하는 디스플레이 소자 |
7 |
7 희생 기판 상에 버퍼층, n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 순차적으로 적층시켜 발광다이오드 소자층을 제조하는 단계; 상기 소자층을 패터닝하여 복수 개의 단위 소자층을 상기 희생 기판 상에 제조하는 단계; 상기 p-GaN층 상에 금속층을 증착하여, p-GaN 오믹컨택층을 형성하는 단계; 상기 희생 기판 및 단위 소자층 상에 공융접합을 위한 합금층을 증착하는 단계; 상기 합금층과 동일 물질의 합금이 도포된 전사 기판을, 상기 합금층에 공융접합시키는 단계; 및 상기 희생 기판 후면에 레이저를 인가하여 소자층을 상기 희생 기판으로부터 리프트 오프시키는 단계; 상기 n-GaN층에 금속층을 증착하여 n-GaN오믹컨택층을 형성하는 단계; 상기 n-GaN오믹컨택층 하부에 열 분리 테이프를 접합시키는 단계; 상기 합금층을 제거한 후, 상기 p-GaN층 상에 플렉서블 기판을 접합시키는 단계; 및 상기 열 분리 테이프에 열을 인가하여 상기 n-GaN오믹컨택층으로부터 열 분리 테이프를 제거하는 단계; 및 상기 플렉서블 기판 상에 보호층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법 |
8 |
8 제 7항에 있어서, 상기 플렉서블 기판 상에는 순차적으로 적층된 금속 라인 및 이방성전도성 필름이 구비되며, 상기 이방성전도성 필름과 상기 p-GaN층이 접합되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법 |
9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법은, 상기 보호층을 증착하는 단계 후, 상기 보호층의 일부를 패터닝하여, 상기 n-GaN오믹컨택층 및 상기 p-GaN오믹컨택층을 각각 상기 단위 소자층 상부 및 상기 단위 소자층 측면에서 외부로 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법 |
10 |
10 제 7항에 있어서, 상기 희생기판은 유리 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법 |
11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 버퍼층(200)은 GaN을 포함하며, 상기 조사되는 레이저에 의하여 상기 버퍼층 표면의 GaN은 분해되며, 이로써 상기 희생기판으로부터 상기 단위 소자층이 분리되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법 |
12 |
12 제 7항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법에 의하여 제조된 플렉서블 수직 발광다이오드 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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공개전문 정보가 없습니다 |
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특허 등록번호 | 10-1362516-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20130207 출원 번호 : 1020130013961 공고 연월일 : 20140214 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140129 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 플렉서블 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2014년 02월 06일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2017년 01월 25일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2018년 01월 29일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 152,000 원 | 2019년 02월 01일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2020년 01월 29일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0116592-80 |
2 | 보정요구서 | 2013.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0020482-86 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0179342-93 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.12.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 | 2014.01.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0001036-41 |
6 | 의견제출통지서 | 2014.01.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0047877-71 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.01.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0065006-17 |
8 | 등록결정서 | 2014.01.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0076139-74 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345197455 |
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세부과제번호 | 2012R1A2A1A03010415 |
연구과제명 | 나노복합소재를 이용한 고효율 나노자가발전기 제작 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201205~201504 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345198307 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0056090 |
연구과제명 | 차세대 플렉시블 디스플레이 융합 센터 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200709~201602 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711002831 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0031848 |
연구과제명 | 초저전력 전자융합 소자 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201109~202008 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | 기타 |
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