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비정질실리콘의 결정화방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015127500
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비정질실리콘을 결정화하는 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 기판 제조방법이 개시된다. 비정질실리콘 결정화방법에 따르면, 기판 위에 비정질실리콘층을 형성하고, 상기 비정질실리콘층 위에 유전층을 형성한다. 다음, 상기 유전층 위에 금속층과 터마이트를 순차적으로 형성한 후, 상기 기판에 열을 가하여 상기 터마이트를 반응시켜 상기 비정질실리콘층을 결정화한다. 터마이트, 테르밋, 결정화, 다결정실리콘, p-Si
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/786 (2011.01)
CPC H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01)
출원번호/일자 1020080089975 (2008.09.11)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0030975 (2010.03.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.09)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황태형 대한민국 서울특별시 관악구
2 김현재 대한민국 서울특별시 종로구
3 김도경 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 정웅희 대한민국 서울특별시 서대문구
5 이충희 대한민국 서울특별시 서대문구
6 정태훈 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0646086-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0808397-35
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0821556-94
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0028893-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0812008-66
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0073325-33
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0073326-89
14 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0398750-13
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0326674-66
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0696315-77
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0696314-21
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
19 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0810181-34
20 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.12.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2015-0058169-05
21 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2016.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0088788-80
22 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2016.03.16 수리 (Accepted) 7-8-2016-0008511-54
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 비정질실리콘층 위에 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층 위에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 위에 터마이트를 형성하는 단계; 및 상기 기판에 열을 가하여 상기 터마이트를 반응시켜 상기 비정질실리콘층을 결정화하는 단계를 포함하는 비정질실리콘 결정화 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 유전층은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 유전층은 100nm ~ 600nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속층은 은, 구리, 금, 알루미늄, 로듐, 이리듐, 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 아연, 니켈, 카드뮴, 루테늄, 오스뮴, 백금, 팔라듐, 주석, 루비듐, 크롬, 탄탈륨 및 니오븀으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 한 종의 금속 또는 그것의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 터마이트는 알루미늄 나노입자와 금속산화물 나노입자의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 금속산화물은 단열 조건에서 알루미늄 1몰당 알루미늄과의 반응 온도가 1000℃ 이상인 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속산화물은 은, 철, 니켈, 티타늄, 코발트, 크롬, 바나듐, 탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 니오븀, 붕소, 납, 망간, 실리콘 및 우라늄으로 이루어진 군에서 선택된 한 종 이상의 금속의 산화물인 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 터마이트는 상기 알루미늄 나노입자와 금속산화물 나노입자가 분산된 분산매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 터마이트는 상기 금속층 위에 스핀코팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 터마이트는 상기 금속층 위에 잉크젯 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화방법
11 11
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 금속층 위에 형성된 터마이트의 분산매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화방법
12 12
제5항에 있어서, 상기 터마이트에 가해지는 열은 상기 금속 산화물과 알루미늄과의 반응의 점화온도 이상인 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 기판은 가요성 기판인 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 결정화 방법
15 15
기판을 제공하는 단계; 상기 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 비정질실리콘층 위에 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층 위에 금속 물질로 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층에 터마이트를 형성하는 단계; 상기 터마이트에 열을 가하여 상기 터마이트를 반응시켜 상기 비정질실리콘을 결정화하여 결정화 실리콘을 형성하는 단계; 및 상기 결정화 실리콘이 형성된 기판 상에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 유전층, 상기 금속층 및 상기 반응이 끝난 터마이트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 유전층은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 유전층은 100nm ~ 600nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 방법
19 19
제15항에 있어서, 상기 금속층은 은, 구리, 금, 알루미늄, 로듐, 이리듐, 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 아연, 니켈, 카드뮴, 루테늄, 오스뮴, 백금, 팔라듐, 주석, 루비듐, 크롬, 탄탈륨 및 니오븀으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 한 종의 금속 또는 그것의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
20 20
제15항에 있어서, 상기 터마이트는 알루미늄 나노입자와 금속산화물 나노입자의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 금속산화물은 단열 조건에서 알루미늄 1몰당 알루미늄과의 반응 온도가 1000℃ 이상인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 금속산화물은 은, 철, 니켈, 티타늄, 코발트, 크롬, 바나듐, 탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 니오븀, 붕소, 납, 망간, 실리콘 및 우라늄으로 이루어진 군에서 선택된 한 종 이상의 금속의 산화물인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
23 23
제20항에 있어서, 상기 터마이트는 상기 알루미늄 나노입자와 금속산화물 나노입자가 분산된 분산매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 터마이트는 상기 금속층 위에 스핀코팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
25 25
제23항에 있어서, 상기 터마이트는 상기 금속층 위에 잉크젯 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
26 26
제24항 또는 제25항에 있어서, 상기 금속층 위에 형성된 터마이트의 분산매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
27 27
제20항에 있어서, 상기 터마이트에 가해지는 열은 상기 금속 산화물과 알루미늄과의 반응의 점화온도 이상인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
28 28
제15항에 있어서, 상기 기판은 가요성 기판인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
29 29
제28항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판 제조방법
30 30
제1 기판을 제공하는 단계; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판을 제공하는 단계; 상기 제1 기판에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극이 형성된 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 비정질실리콘층 위에 유전층을 형성하고 상기 유전막 위에 금속 물질로 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층에 터마이트를 형성하고 열을 가하여 상기 터마이트를 반응시켜 상기 비정질실리콘을 결정화하여 결정화 실리콘을 형성하는 단계; 상기 유전층, 금속층 및 터마이트를 제거하는 단계; 상기 결정화 실리콘이 형성된 기판 상에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 소스전극과 드레인전극 상에 형성되며 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 가지는 보호층을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통해 드레인전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07993994 US 미국 FAMILY
2 US20100062555 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010062555 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7993994 US 미국 DOCDBFAMILY
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