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멀티 비트 프로그램이 가능한 비휘발성 메모리 소자 및이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015131350
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멀티 비트 프로그램이 가능한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는, 터널 절연막을 중앙부가 주변부보다 낮도록 단차지게 우물 구조로 형성하였고, 터널 절연막상에 형성된 전하 포획층도 중앙의 하단이 양 옆의 상단보다 낮도록 단차지게 형성하여, 전하 포획층의 좌측 또는 우측 상단에 전하를 주입하여 2비트 프로그램이 가능한 효과가 있다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는, 전하 포획층의 좌측 또는 우측 상단에 인가된 전하들에 측면 확산이 발생하는 경우에도, 전하 포획층의 상단에서 전하 포획층의 하단으로 확산된 후 얇은 터널 절연막의 중앙부를 통해서 반도체 기판으로 방출되므로, 측면 확산 현상으로 인하여 하나의 소자에서 멀티 비트를 구현하기 어려운 종래 기술의 문제점을 해결하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는, 반도체 기판에 수용홈을 형성하고, 그 내부에 터널 절연막 및 전하 포획층이 단차지도록 순차적으로 형성함으로써, 드레인 영역과 소오스 영역 사이에 형성되는 채널 길이가 길어져 단채널효과를 해결하는 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 29/792(2013.01) H01L 29/792(2013.01) H01L 29/792(2013.01) H01L 29/792(2013.01) H01L 29/792(2013.01)
출원번호/일자 1020070087801 (2007.08.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0871605-0000 (2008.11.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.30)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 안호명 대한민국 서울시 송파구
3 김경찬 대한민국 서울시 동대문구
4 서유정 대한민국 서울시 동대문구
5 김희동 대한민국 경북 문경시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0633803-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028297-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0293033-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0545248-77
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0545243-49
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0590878-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소오스 영역 및 드레인 영역이 형성된 반도체 기판상에, 중앙부가 주변부보다 낮도록 단차지게 형성된 터널 절연막,상기 터널 절연막상에, 서로 독립적으로 양 측면 영역에 프로그램이 가능하도록, 상기 양측면 영역의 저면이 중앙부의 상면보다 높게 위치하도록 단차지도록 형성된 전하 포획층, 및상기 전하 포획층상에 형성된 차단 절연막을 포함하는 메모리층; 및상기 차단 절연막상에 형성된 게이트 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 터널 절연막의 중앙부는상기 터널 절연막의 중앙부위에 형성된 상기 전하 포획층의 하단에 주입된 전하가 시간이 경과함에 따라서 상기 반도체 기판으로 방출될 수 있는 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 터널 절연막의 중앙부는 상기 반도체 기판 내부에 수용되어 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 좌우가 대칭되도록 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 질화막, 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 4 내지 100 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극층에 양의 프로그래밍 전압을 인가하여 상기 반도체 기판으로부터 상기 전하 포획층으로 전하를 주입하고,상기 양의 프로그래밍 전압인가 후에, 상기 양의 프로그래밍 전압보다 그 크기가 작은 음의 프로그래밍 전압을 상기 게이트 전극층에 인가하여 상기 전하 포획층의 중앙부에 주입된 전하를 상기 반도체 기판으로 방출하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 프로그래밍 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 음의 프로그래밍 전압은상기 전하 포획층의 상단에 주입된 전하는 그대로 유지되고, 상기 전하 포획층의 하단에 주입된 전하가 상기 반도체 기판으로 방출되도록 하는 크기의 음의 전압으로 상기 게이트 전극층에 인가하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 프로그래밍 방법
11 11
(a) 반도체 기판상에, 중앙부가 주변부보다 낮도록 단차지게 터널 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 터널 절연막상에, 서로 독립적으로 양 측면 영역에 프로그램이 가능하도록, 상기 양 측면 영역의 저면이 중앙부의 상면보다 높게 위치하도록 단차지도록 형성된 전하 포획층을 형성하는 단계;(c) 상기 전하 포획층상에 차단 절연막을 형성하는 단계;(d) 상기 차단 절연막상에 게이트 전극층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 반도체 기판에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서상기 터널 절연막의 중앙부은, 상기 터널 절연막의 중앙부위에 형성된 상기 전하 포획층의 하단에 주입된 전하가 시간이 경과함에 따라서 상기 반도체 기판으로 방출될 수 있는 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서상기 터널 절연막의 중앙부는 상기 반도체 기판 내부에 수용되어 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서상기 전하 포획층은 좌우가 대칭되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서상기 전하 포획층은 질화막, 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
16 16
제 11 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서상기 전하 포획층은 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
17 17
제 11 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
18 18
제 11 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서상기 전하 포획층은 4 내지 100 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.