맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

멀티 비트 프로그램이 가능한 비휘발성 메모리 소자 및이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015131372
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멀티 비트 프로그램이 가능한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는, 반도체 기판의 소오스 영역과 드레인 영역 사이에에 돌출부를 형성하고, 돌출부가 형성된 반도체 기판의 표면을 따라서 터널 절연막, 전하 포획층, 및 차단 절연막을 순차적으로 형성한다. 따라서, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 소오스 영역으로부터 돌출부의 표면을 따라서 드레인 영역으로 채널이 형성되므로, 종래 기술의 소오스 영역으로부터 드레인 영역으로 수평으로 직접 채널이 형성되는 경우보다 채널 영역의 길이가 상대적으로 길어저 단채널 효과(Short Channel Effect)를 억제하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 전하 포획층 중 돌출부의 좌측 또는 우측에 형성된 영역에만 국부적으로 전하를 주입하여 1셀에서 2비트의 프로그래밍이 가능한 효과가 있다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자에서는 국부적으로 전하 포획층에 주입된 전하들의 측면 확산이 돌출부에 의해서 차단되므로, 종래 기술의 전하들의 측면 확산으로 인해서 Cross Talk 간섭이 발생하여 2비트를 명확하게 분리하기 어려운 문제점을 해결하는 효과가 나타난다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01)
출원번호/일자 1020070088637 (2007.08.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0871076-0000 (2008.11.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.31)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 안호명 대한민국 서울시 송파구
3 김경찬 대한민국 서울시 동대문구
4 서유정 대한민국 서울시 동대문구
5 김희동 대한민국 경북 문경시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0637885-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028283-81
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0297504-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0551697-49
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0551704-82
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0585507-71
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
중앙에 돌출부가 형성되고 상기 돌출부의 주변에 소오스 영역 및 드레인 영역이 형성된 반도체 기판위에, 중앙부가 상기 돌출부 위에 형성되고 주변부가 상기 돌출부 아래에 형성되어 상기 중앙부와 상기 주변부가 단차지게 형성된 터널 절연막,상기 중앙부 위에 형성된 상단 영역이 상기 주변부 위에 형성된 하단 영역보다 높도록 상기 터널 절연막 위에 단차지게 형성된 전하 포획층, 및상기 전하 포획층상에 형성된 차단 절연막을 포함하는 메모리층; 및상기 차단 절연막상에 형성된 게이트 전극층을 포함하고,상기 차단 절연막은상기 상단 영역 위에 형성된 가운데 영역이, 상기 하단 영역 위에 형성된 경계 영역보다 높도록 단차지게 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 좌우가 대칭되도록 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 질화막, 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 4 내지 100 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
8 8
(a) 반도체 기판위에 마스크막 패턴을 형성하고, 상기 마스크막 패턴이 형성되지 않은 영역을 식각하여 돌출부를 형성하는 단계;(b) 중앙부가 상기 돌출부 위에 형성되고 주변부가 상기 돌출부 아래에 형성되어 상기 중앙부와 상기 주변부가 단차지도록 상기 반도체 기판위에 터널 절연막을 형성하는 단계;(c) 상기 중앙부 위에 형성된 상단 영역이 상기 주변부 위에 형성된 하단 영역보다 높도록 전하 포획층을 상기 터널 절연막 위에 단차지게 형성하는 단계;,(d) 상기 전하 포획층상에 차단 절연막을 형성하는 단계;(e) 상기 차단 절연막상에 게이트 전극층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 반도체 기판에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (d) 단계에서상기 차단 절연막은, 상기 상단 영역 위에 형성된 가운데 영역이, 상기 하단 영역 위에 형성된 경계 영역보다 높도록 단차지게 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 좌우가 대칭되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 질화막, 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
14 14
제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 4 내지 100 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.