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칼코제나이드계 박막 증착방법

  • 기술번호 : KST2015135300
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 100℃ 이하의 저온에서 H2, NH3, 알코올과 같은 환원제를 이용하지 않고 칼코제나이드계 박막을 증착할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 칼코제나이드계 박막 증착방법은 기판 상에 화학식 1로 표현되는 Te 전구체(precursor)에 화학식 2로 표현되는 Ge 전구체 및 화학식 3으로 표현되는 Sb 전구체 중 적어도 하나를 반응시켜 칼코제나이드계 박막을 형성한다. 이때, 화학식 1의 R1 내지 R6, 상기 화학식 2의 R7 내지 R10 및 상기 화학식 3의 R11 내지 R13은 알킬(alkyl)이다. 003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 003c#화학식 3003e#
Int. CL H01L 21/205 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01) C23C 16/305(2013.01)
출원번호/일자 1020090106075 (2009.11.04)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1071251-0000 (2011.09.30)
공개번호/일자 10-2011-0049177 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20111010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울특별시 강남구
2 최설 대한민국 서울특별시 종로구
3 엄태용 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0678744-21
2 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2009.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0694406-80
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0085608-71
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0020872-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0211658-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0446359-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0555719-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0622596-87
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.07.09 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0646410-66
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0696497-22
14 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2014.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0702080-95
15 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2014.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0124149-37
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2014.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0134785-34
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하기 화학식 1로 표현되는 Te 전구체(precursor)에 하기 화학식 2로 표현되는 Ge 전구체 및 하기 화학식 3으로 표현되는 Sb 전구체 중 적어도 하나를 반응시켜 칼코제나이드계 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 Te 전구체는 Te(Si(CH3)3)2이고, 상기 Ge 전구체는 Ge(OCH3)4이며, 상기 Sb 전구체는 Sb(OC2H5)3인 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 1회 이상의 상기 Ge 전구체의 공급 및 퍼지와 1회 이상의 상기 Te 전구체의 공급 및 퍼지를 교번적으로 수행하여 기판 상에 Ge-Te 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 1회 이상의 상기 Sb 전구체의 공급 및 퍼지와 1회 이상의 상기 Te 전구체의 공급 및 퍼지를 교번적으로 수행하여 기판 상에 Sb-Te 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Te 전구체에 상기 Ge 전구체와 Sb 전구체를 동시에 또는 순차적으로 반응시켜 기판 상에 Ge-Sb-Te 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
6 6
제5항에 있어서, 1회 이상의 상기 Ge 전구체의 공급 및 퍼지와 1회 이상의 상기 Te 전구체의 공급 및 퍼지를 교번적으로 수행하는 Ge-Te 증착 사이클과 1회 이상의 상기 Sb 전구체의 공급 및 퍼지와 1회 이상의 상기 Te 전구체의 공급 및 퍼지를 교번적으로 수행하는 Sb-Te 증착 사이클을 교번적으로 수행하여 기판 상에 Ge-Sb-Te 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
7 7
제5항에 있어서, 1회 이상의 상기 Ge 전구체의 공급 및 퍼지와 1회 이상의 상기 Sb 전구체의 공급 및 퍼지와 1회 이상의 상기 Te 전구체의 공급 및 퍼지를 순차적으로 수행하는 Ge-Sb-Te 증착 사이클을 1회 이상 수행하거나, 1회 이상의 상기 Sb 전구체의 공급 및 퍼지와 1회 이상의 상기 Ge 전구체의 공급 및 퍼지와 1회 이상의 상기 Te 전구체의 공급 및 퍼지를 순차적으로 수행하는 Ge-Sb-Te 증착 사이클을 1회 이상 수행하여 기판 상에 Ge-Sb-Te 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판의 표면은 TiN을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 칼코제나이드계 박막을 형성하는 단계는 50 ~ 80℃의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드계 박막 증착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 두뇌한국21사업 2단계bk21재료사업
2 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 원천기술개발사업 분자제어 기술을 통한 전자 기능 박막 제조 및 특성 평가