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분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015137204
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상온에서 세라믹이나 금속 등의 분말을 고압의 이송기체를 이용하여 노즐을 통해 가속하여 기판에 충돌시켜 적층 및 식각을 동시에 수행할 수 있는 분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치는 챔버; 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부를 진공 환경으로 조성하는 진공펌프; 상기 챔버와 진공펌프 사이에 적층이나 식각이 끝난 입자를 포집할 수 있는 필터; 상기 챔버 내부에 형성되며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판 상에 소정의 분말을 분사하도록 구성된 분사노즐; 상기 챔버 외부에 형성되며, 소정의 가스를 주입하는 가스주입부; 상기 가스주입부와 상기 분사노즐에 각각 연결되어 상기 가스주입부에서 주입되는 가스가 상기 분사노즐까지 이동할 수 있도록 하는 배관; 및 상기 배관에 연결되며, 상기 가스가 이동하는 배관에 분말을 공급하는 분말공급부를 포함한다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/687 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01)
출원번호/일자 1020090083175 (2009.09.03)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0964062-0000 (2010.06.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.03)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 천두만 대한민국 서울특별시 관악구
3 김민생 대한민국 서울특별시 금천구
4 여준철 대한민국 서울특별시 관악구 남현동 사당군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0544517-10
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0551185-19
3 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination
2009.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0643582-12
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.11.26 수리 (Accepted) 9-1-2009-0064337-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0505210-08
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0080752-07
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0109566-71
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.04.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0241121-95
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0241123-86
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2010.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0189427-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
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챔버; 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부를 진공 환경으로 조성하는 진공펌프; 상기 챔버와 진공펌프 사이에 적층이나 식각이 끝난 입자를 포집할 수 있는 필터; 상기 챔버 내부에 형성되며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판 상에 소정의 분말을 분사하도록 구성된 분사노즐; 상기 챔버 외부에 형성되며, 소정의 가스를 주입하는 가스주입부; 상기 가스주입부와 상기 분사노즐에 각각 연결되어 상기 가스주입부에서 주입되는 가스가 상기 분사노즐까지 이동할 수 있도록 하는 배관; 및 상기 배관에 연결되며, 상기 가스가 이동하는 배관에 분말을 공급하는 분말공급부를 포함하며, 상기 분사노즐은 상기 배관에 연결되는 제1개구부, 상기 기판에 분말을 분사하기 위한 제2개구부, 및 상기 제1개구부와 제2개구부 사이에 형성되며 100 ㎛ 내지 3mm의 직경을 갖는 노즐목을 포함하고, 상기 제1개구부에서 상기 노즐목까지는 구경이 점차로 감소하고, 상기 노즐목에서 제2개구부까지는 구경이 점차로 증가하며, 상기 분사노즐을 통해 200 내지 2000 m/sec의 속도로 분말이 분사되도록 구성되며, 적층을 위한 분말의 크기는 10nm 내지 4백nm이고, 식각을 위한 분말의 크기는 30 내지 40㎛인 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치
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제 15 항에 있어서, 상기 분말공급부는 적층에 필요한 제1분말을 공급하는 제1분말공급부 및 식각에 필요한 제2분말을 공급하는 제2분말공급부를 포함하고, 상기 배관은 상기 제1분말공급부와 연결되는 제1배관 및 상기 제2분말공급부와 연결되는 제2배관을 포함하며 상기 분사노즐은 상기 제1배관 및 상기 제2배관과 연결되는 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치
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제 15 항에 있어서, 상기 분사노즐은 상기 기판 면에 대해서 경사를 조절할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치
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제 15 항에 있어서, 상기 기판 지지부는 X축, Y축, 및 Z축으로 이동가능하게 형성된 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치
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제 15 항에 있어서, 상기 기판과 노즐 사이에 특정 패턴을 갖는 마스크를 제공하는 마스크 제공부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 서울대학교 산학협력단 선도연구센터육성사업 마이크로 제어계측 기술개발