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반도체 소자가 형성된 결합 웨이퍼, 상기 결합 웨이퍼를 지지하는 기준 웨이퍼, 및 상기 결합 웨이퍼와 상기 기준 웨이퍼 사이에 위치하는 매몰 절연막을 포함하되,
상기 기준 웨이퍼 내의 산소 석출물 밀도 분포는 상기 매몰 절연막과 접하는 면으로부터 그의 반대면 방향으로 제1 피크, 벌크영역, 및 제2 피크를 갖는 M 자형을 갖는 SOI 웨이퍼
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제1항에 있어서,
상기 M 자형 산소 석출물 밀도 분포는 상기 피크와 상기 벌크영역 사이의 밀도 차이가 0
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반도체 소자가 형성될 결합 웨이퍼와 상기 결합 웨이퍼를 지지하기 위한 기준 웨이퍼를 준비하는 단계;
상기 결합 웨이퍼의 표면으로부터 소정 깊이에 불순물 이온을 주입하여 불순물이온 주입부를 형성하여 단결정층과 제거부를 구분하는 단계;
상기 기준 웨이퍼의 표면으로부터 소정의 깊이에 산소 석출물을 형성하기 위한 제1 열처리 단계;
상기 결합 웨이퍼 또는 상기 기준 웨이퍼의 표면 상에 매몰 절연막을 형성하는 단계;
상기 기준 웨이퍼와 상기 결합 웨이퍼를 이들 사이에 매몰 절연막이 위치하도록 결합시키는 단계; 및
상기 결합 웨이퍼의 불순물 이온 주입부를 벽개하여 상기 단결정층을 상기 매몰 절연막 상에 잔존시키는 단계를 포함하되,
상기 기준 웨이퍼 내의 산소 석출물 밀도 분포는 상기 매몰 절연막과 접하는 면으로부터 그의 반대면 방향으로 제1 피크, 벌크영역, 및 제2 피크를 갖는 M 자형을 갖는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 제1 열처리 단계는 RTA법을 사용하여 수행하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제4항에 있어서,
상기 제1 열처리 단계는 질소 또는 암모니아 분위기에서 수행하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제4항에 있어서,
상기 제1 열처리 단계의 온도는 1000℃ 이상인 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제6항에 있어서,
상기 제1 열처리 단계의 온도는 1250℃ 이하인 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 결합 웨이퍼에 불순물을 주입하기 전에 상기 결합 웨이퍼 상에 상기 매몰 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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9
제3항에 있어서,
상기 제1 열처리 단계 후, 상기 기준 웨이퍼 상에 상기 매몰 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 결합 웨이퍼에 불순물을 주입하기 전에 상기 결합 웨이퍼 상에 희생 절연막을 형성하는 단계; 및
상기 결합 웨이퍼에 불순물을 주입한 후 상기 기준 웨이퍼와 상기 결합 웨이퍼를 결합시키기 전에, 상기 희생 절연막을 제거하는 단계를 더 포함하고,
상기 제1 열처리 단계 후, 상기 기준 웨이퍼 상에 상기 매몰 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제3항, 제8항, 제9항, 또는 제10항에 있어서,
상기 제1 열처리 단계 후 상기 기준 웨이퍼와 상기 결합 웨이퍼를 결합시키기 전에,
상기 기준 웨이퍼 내의 산소 석출물을 성장시키기 위한 제2 열처리 단계를 더 포함하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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12
제3항에 있어서,
상기 결합 웨이퍼의 불순물 이온 주입부를 벽개한 후, 벽개된 표면을 식각하는 단계를 더 포함하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제12항에 있어서,
상기 결합 웨이퍼의 벽개된 표면을 식각하는 단계는 NH4OH, H2O2 및 H20의 혼합용액을 식각액으로 사용한 습식식각 단계인 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 결합 웨이퍼의 불순물 이온 주입부를 벽개하기 전에, 결합된 상기 기준 웨이퍼와 상기 결합 웨이퍼를 열처리하는 단계를 더 포함하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 결합 웨이퍼의 불순물 이온 주입부를 벽개한 후, 상기 단결정층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 불순물이온은 수소이온인 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 수소 이온은 10 내지 40 KeV의 전압에서 주입되는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법
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