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액정 패널 하부에 배치되어 상기 액정 패널의 후면으로 빛을 조사하는 백라이트 유닛에 있어서,탄소나노튜브를 에미터로 가지는 CNT 램프 칩이 하나 이상 배열되어 CNT 램프 칩 어레이를 형성하며, 상기 CNT 램프 칩의 각각의 개별 휘도를 조절함으로써 상기 CNT 램프 칩 어레이를 부분적으로 구동시키는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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제 1 항에 있어서,상기 CNT 램프 칩 어레이는,상기 CNT 램프 칩이 가로 방향 및 세로 방향으로 각각 일정한 간격을 가지고 배열되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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제 1 항에 있어서,상기 CNT 램프 칩은,전자를 방출하는 하나 이상의 탄소나노튜브 에미터와, 상기 탄소나노튜브 에미터에 전자를 공급하는 캐소드 전극을 포함하는 캐소드 어셈블리;상기 캐소드 어셈블리의 상부에 배치되는 애노드 전극과, 상기 애노드 전극의 하부에 부착되어 상기 탄소나노튜브 에미터에 의해 방출된 전자와의 충돌에 의해 상기 액정 패널로 빛을 조사하는 형광체를 포함하는 애노드 어셈블리;상기 캐소드 어셈블리와 상기 애노드 어셈블리의 사이에 배치되며, 상기 방출된 전자의 양을 조절하는 게이트 전극을 포함하는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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제 3 항에 있어서,상기 캐소드 어셈블리는,상기 캐소드 전극의 상부에서 상기 게이트 전극과의 간격을 유지시키는 제1 스페이서를 더 포함하며, 상기 게이트 전극은 상기 제1 스페이서의 상부에 장착되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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제 3 항에 있어서,상기 애노드 어셈블리는,상기 애노드 어셈블리의 하부에서 상기 게이트 전극과의 간격을 유지시키는 제2 스페이서를 더 포함하며, 상기 게이트 전극은 상기 제2 스페이서의 하부에 장착되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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제 3 항에 있어서,상기 애노드 어셈블리는,인접한 다른 애노드 어셈블리와 연결되어 2개 이상의 그룹을 형성하며, 상기 그룹 별로 독립적으로 구동되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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제 3 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 에미터는,가로 방향 및 세로 방향으로 각각 일정한 간격을 가지고 배열되며, 구현하고자 하는 휘도에 따라 온(ON)되는 개수가 조절되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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액정 패널 하부에 배치되어 상기 액정 패널의 후면으로 빛을 조사하는 백라이트 유닛에 있어서,전자를 방출하는 하나 이상의 탄소나노튜브 에미터와, 상기 탄소나노튜브 에미터에 전자를 공급하는 캐소드 전극을 포함하는 캐소드 어셈블리가 2 이상 배열되어 형성된 캐소드 어셈블리 어레이;상기 캐소드 어셈블리 어레이의 전체 면적에 대응되어 상부에 배치되는 공통 애노드 전극과, 상기 공통 애노드 전극의 하부에 부착되어 상기 탄소나노튜브 에미터에 의해 방출된 전자와의 충돌에 의해 상기 액정 패널로 빛을 조사하는 형광체를 포함하는 공통 애노드 어셈블리;상기 캐소드 어셈블리 어레이와 상기 공통 애노드 어셈블리의 사이에 배치되며, 상기 방출된 전자의 양을 조절하는 게이트 전극을 포함하는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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9
제 8 항에 있어서,상기 캐소드 어셈블리 어레이는,상기 캐소드 어셈블리가 가로 방향 및 세로 방향으로 각각 일정한 간격을 가지고 배열되며, 상기 캐소드 어셈블리의 각각의 개별 전극의 세기를 조절함으로써 부분적으로 구동되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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제 9 항에 있어서,상기 캐소드 어셈블리 어레이는,일정 개수의 캐소드 어셈블리를 묶어 형성된 그룹 별로 구동되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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11
제 8 항에 있어서,상기 캐소드 어셈블리 어레이를 구성하는 각각의 캐소드 전극의 상부에 배치되며, 상기 게이트 전극과의 간격을 유지시키는 제1 스페이서;상기 공통 애노드 어셈블리의 하부에서 상기 제1 스페이서와 대응되는 위치에 배치되며, 상기 게이트 전극과의 간격을 유지시키는 제2 스페이서를 더 포함하는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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12
제 11 항에 있어서,상기 게이트 전극은,상기 제1 스페이서의 상부 또는 상기 제2 스페이서의 하부에 장착되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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13
제 8 항에 있어서,상기 공통 애노드 어셈블리는,상기 캐소드 어셈블리 어레이를 구성하는 각각의 캐소드 어셈블리의 1 이상의 정수배 만큼의 면적에 대응되는 영역으로 분할되어 구동되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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14
제 8 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 에미터는,가로 방향 및 세로 방향으로 각각 일정한 간격을 가지고 배열되며, 구현하고자 하는 휘도에 따라 온(ON)되는 개수가 조절되는, 탄소나노튜브 램프 칩 어레이를 이용한 백라이트 유닛
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15
전자를 방출하는 하나 이상의 탄소나노튜브 에미터와, 상기 탄소나노튜브 에미터에 전자를 공급하는 캐소드 전극을 포함하는 캐소드 어셈블리;상기 캐소드 어셈블리의 상부에 배치되는 애노드 전극과, 상기 애노드 전극의 하부에 부착되어 상기 탄소나노튜브 에미터에 의해 방출된 전자와의 충돌에 의해 빛을 조사하는 형광체를 포함하는 애노드 어셈블리;상기 캐소드 어셈블리와 상기 애노드 어셈블리의 사이에 배치되며, 상기 방출된 전자의 양을 조절하는 게이트 전극을 포함하며,상기 탄소나노튜브 에미터는 가로 방향 및 세로 방향으로 각각 일정한 간격을 가지고 배열되며, 구현하고자 하는 휘도에 따라 온(ON)되는 개수가 조절되는, 탄소나노튜브 램프 칩
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16
제 15 항에 있어서,상기 캐소드 어셈블리는,상기 캐소드 전극의 상부에서 상기 게이트 전극과의 간격을 유지시키는 제1 스페이서를 더 포함하며, 상기 게이트 전극은 상기 제1 스페이서의 상부에 장착되는, 탄소나노튜브 램프 칩
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17
제 15 항에 있어서,상기 애노드 어셈블리는,상기 애노드 어셈블리의 하부에서 상기 게이트 전극과의 간격을 유지시키는 제2 스페이서를 더 포함하며, 상기 게이트 전극은 상기 제2 스페이서의 하부에 장착되는, 탄소나노튜브 램프 칩
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제 15 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 에미터는,서로 다른 개수를 가지는 2개 이상의 에미터 그룹을 형성하며, 상기 에미터 그룹의 각각에 대해 서브 캐소드 전극이 연결되어 독립적으로 구동되는, 탄소나노튜브 램프 칩
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제 15 항에 있어서,상기 애노드 어셈블리는,인접한 다른 애노드 어셈블리와 연결되어 2개 이상의 그룹을 형성하며, 상기 그룹 별로 독립적으로 구동되는, 탄소나노튜브 램프 칩
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