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실리콘 기판의 일면에 형성되고, 실리콘 나노와이어 및 상기 실리콘 나노와이어에 연결되고 상기 실리콘 나노와이어 보다 폭이 넓으며 전극패턴이 연결되는 전극연결부를 포함하는 수광부;상기 실리콘 기판의 일면에 형성된 회로부;상기 실리콘 기판의 일면 상에 형성되고, 적어도 상기 수광부 및 회로부를 전기적으로 연결하는 전극패턴을 포함하는 배선층;외광이 상기 실리콘 기판의 타면 방향에서 상기 실리콘 나노와이어를 향해 입사하도록, 상기 실리콘 기판의 타면에 형성되는 광경로부; 및상기 전극연결부를 상기 실리콘 기판에 대하여 절연하도록, 상기 전극연결부를 둘러싸도록 형성되는 분리영역을 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용한 이미지 센서
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청구항 1에 있어서,상기 광경로부는상기 실리콘 나노와이어를 향해 입사하는 외광이 지나가는 경로에 해당하는 상기 실리콘 기판의 타면에 형성된 홈인, 실리콘 나노와이어를 이용한 이미지 센서
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청구항 1에 있어서,상기 분리영역은 일측이 상기 광경로부의 일측과 연결되는 형태로 일체로 형성되는 실리콘 나노와이어를 이용한 이미지 센서
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(A) 실리콘 기판의 일면에 실리콘 나노와이어를 포함하는 수광부 및 상기 수광부에서 생성한 신호를 처리하는 회로부를 형성하고, 상기 일면 상에 상기 수광부 및 상기 회로부를 연결하는 전극패턴을 포함하는 배선층을 형성하는 단계;(B) 상기 실리콘 기판의 타면 방향에서 상기 실리콘 나노와이어로 외광이 입사하는 경로에 해당하는 상기 실리콘 기판의 일부를 제거하여 광경로부를 형성하는 단계; 및(C) 상기 실리콘 나노와이어의 끝단이 연결되고 상기 전극패턴이 연결된 부분을 둘러싸는 분리영역을 상기 실리콘 기판에 형성함으로써, 상기 실리콘 나노와이어의 끝단에 연결되는 전극연결부를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용한 이미지 센서 제조방법
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청구항 6에 있어서,(D) 상기 실리콘 기판의 타면 상에 반사방지층, 컬러필터 및 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용한 이미지 센서 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 단계 (C)는 상기 단계 (B)에서 상기 광경로부를 형성할 때 함께 분리영역을 형성하는 실리콘 나노와이어를 이용한 이미지 센서 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 단계 (B)는상기 실리콘 기판의 타면 방향에서 상기 실리콘 나노와이어로 외광이 입사하는 경로에 해당하는 상기 실리콘 기판의 일부 영역을 제외한 나머지를 마스크로 커버하고 식각 공정을 수행함으로써 광경로부를 형성하는 것인 실리콘 나노와이어를 이용한 이미지 센서 제조방법
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