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소자의 접합할 표면에 접합층을 형성하는 단계; 및 접합층의 표면에 접합력향상 표면처리를 수행하는 단계;를 포함하는 소자접합성능향상방법
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청구항 1에 있어서, 접합층은 1㎛ 내지 1,000㎛인 것을 특징으로 하는 소자접합성능향상방법
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청구항 1에 있어서, 표면처리는 접합층의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 소자접합성능향상방법
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청구항 3에 있어서, 표면처리는 접합층의 표면에 FIB(Focused Ion Beam) 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 소자접합성능향상방법
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청구항 4에 있어서, FIB 공정은 Ga 이온빔을 사용하는 것을 특징으로 하는 소자접합성능향상방법
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6
청구항 3에 있어서, 접합층은 표면처리 후에, 1㎛ 내지 10㎛ 깊이의 캐비티를 갖는 것을 특징으로 하는 소자접합성능향상방법
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7
청구항 1에 있어서, 표면처리는 접합층 표면에 요철층을 추가하는 것을 특징으로 하는 소자접합성능향상방법
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8
청구항 7에 있어서, 표면처리는,접합층 상부에 마스크를 위치시키는 단계; 및요철물질을 스퍼터링하여 마스크 형상에 따라 접합층 표면에 요철층이 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자접합성능향상방법
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9
청구항 1의 소자접합성능향상방법에 따라 접합성능이 향상된 소자
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10
소자의 접합할 표면에 접합층을 형성하는 단계; 접합층의 표면에 접합력향상 표면처리를 수행하는 단계; 및소자를 기판에 접합시키는 단계;를 포함하는 소자실장방법
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11
청구항 10에 따른 소자실장방법에 따라 반도체 소자가 실장된 기판을 포함하는 반도체 패키지
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12
청구항 11에 있어서, 기판은 접합력 향상을 위한 표면처리된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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