1 |
1
표면에 그래핀층이 합성된 금속기판에 원자층 증착 공정으로 산화물층을 형성하는 제1단계; 및 금속기판을 가열하여 그래핀의 결함을 확인하는 제2단계;를 포함하는 그래핀 비파괴 검사방법
|
2 |
2
청구항 1에 있어서, 제2단계는,산화물층 하부의 그래핀결함이 가시화될 때까지 가열되는 것을 특징으로 하는 그래핀 비파괴 검사방법
|
3 |
3
청구항 1에 있어서, 산화물층의 두께는 2 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 그래핀 비파괴 검사방법
|
4 |
4
청구항 1에 있어서, 산화물층은 Al2O3, ZnO, ATO, IZGO, FTO, ITO, AZO, SiNx 및 SiO2 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 비파괴 검사방법
|
5 |
5
청구항 1에 있어서, 그래핀층은 산화물층 형성하기 전의 저항값보다 산화물층 형성한 후의 저항값이 더 작은 것을 특징으로 하는 그래핀 비파괴 검사방법
|
6 |
6
표면에 그래핀층이 합성된 금속기판에 원자층 증착 공정으로 산화물층을 형성하는 단계; 그래핀층 중, 산화물층이 형성되지 않은 다층그래핀을 제거하는 단계; 및 다층그래핀이 제거된 다층그래핀 제거영역을 가시화시키는 단계;를 포함하는 그래핀 비파괴 검사방법
|
7 |
7
청구항 6에 있어서, 다층그래핀을 제거하는 단계는, 건식식각공정 및 습식식각공정 중 어느 하나의 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 비파괴 검사방법
|
8 |
8
청구항 6에 있어서, 다층그래핀 제거영역을 가시화시키는 단계는, 산화공정 및 질화공정 중 어느 하나의 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 비파괴 검사방법
|