맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법 및 상기 마이크로 진공 모듈을 이용한 반도체의 전사 방법

  • 기술번호 : KST2019031117
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 마이크로 진공 모듈을 이용하여 반도체를 전사하는 방법에 있어서, 마이크로 진공 모듈은, 외부 펌프모듈 및 진공 조절부와 연결되는 복수의 연결공이 형성된 진공 형성 기판; 및 상기 진공 형성 기판과 결합된 상태에서, 단수로 구성된 채널 또는 독립적으로 구성되는 복수의 채널이 구비된 패턴 형성부;를 포함하고, 상기 복수의 채널은, 전사 대상인 반도체의 크기보다는 작게 형성되는 복수의 진공홀에 각각 연통하도록 형성되며, 상기 복수의 진공홀은 100㎛ 미만의 지름을 갖는 상태에서, 100㎛ 이하의 폭과 길이를 갖는 마이크로 반도체에 접촉한 뒤, 진공의 흡착력을 이용하여 상기 마이크로 반도체를 전사한다.
Int. CL H01L 21/52 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/683 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/677 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190053754 (2019.05.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0140827 (2019.12.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180076935   |   2018.07.03
대한민국  |   1020180067701   |   2018.06.12
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.08)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이건재 대전광역시 유성구
2 이한얼 대전광역시 유성구
3 김태진 대전광역시 유성구
4 신정호 대전광역시 유성구
5 박상현 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0469814-28
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0891614-36
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0892350-56
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0682668-15
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-1324115-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
마이크로 진공 모듈을 이용하여 반도체를 전사하는 방법에 있어서,상기 마이크로 진공 모듈은,외부 펌프모듈 및 진공 조절부와 연결되는 복수의 연결공이 형성된 진공 형성 기판; 및상기 진공 형성 기판과 결합된 상태에서, 단수로 구성된 채널 또는 독립적으로 구성되는 복수의 채널이 구비된 패턴 형성부;를 포함하고,상기 복수의 채널은,전사 대상인 반도체의 크기보다는 작게 형성되는 복수의 진공홀에 각각 연통하도록 형성되며,상기 복수의 진공홀은 100㎛ 미만의 지름을 갖는 상태에서, 100㎛ 이하의 폭과 길이를 갖는 마이크로 반도체에 접촉한 뒤, 진공의 흡착력을 이용하여 상기 마이크로 반도체를 전사하는 것을 특징으로 하는,반도체의 전사 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 진공 모듈을 이루는 채널이 복수인 경우에는 채널 별로 각각 전사가 가능하며, 단수인 경우에는 한번에 전사가 가능한, 반도체의 전사 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 복수의 진공홀은 Si bosch 공정을 이용하여 제작하는,반도체의 전사 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 복수의 진공홀은 Laser 미세가공 공정을 이용하여 제작하는,반도체의 전사 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 복수의 진공홀은 고분자 에폭시를 이용한 패터닝 공정을 이용하여 제작하는,반도체의 전사 방법
6 6
제 1 항에 있어서,반도체의 두께는 5 ㎛ 이하의 박막형 마이크로 LED인,반도체의 전사 방법
7 7
베이스 기판 상에 마이크로 진공 형성용 홀 기능을 수행하는 홀 어레이를 형성하는 단계;캐리어 기판 상에 희생층을 이용하여 상기 베이스 기판을 접착하는 단계;상기 베이스 기판 상에서 형성된 홀 어레이를 덮을 수 있는 패턴층을 형성하는 단계;외부 펌프모듈 및 진공 조절부와 접속되는 연결공이 형성된 공정 기판을 상기 베이스 기판에 접착하는 단계; 및상기 희생층 및 패턴층을 제거하는 단계;를 포함하는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 홀 어레이는 Si bosch 공정, Laser 미세가공 및 고분자 에폭시를 이용한 패터닝 공정을 포함한 공정들 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성되는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 베이스 기판에 형성된 홀 어레이의 지름은 1㎛ 내지 1㎜ 범위이고, 상기 홀 어레이의 면적은 전사할 반도체의 면적보다 작게 제작되는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 베이스 기판에 형성된 홀 어레이의 지름은 100㎛ 미만의 직경으로 형성된 상태에서, 반도체인 마이크로LED는 100㎛ 이하의 폭과 길이를 갖는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
11 11
캐리어 기판 상에 희생층으로 사용될 수 있는 물질을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 마이크로 진공 형성용 홀 기능을 수행하는 홀 어레이를 형성하는 단계;상기 캐리어 기판 상에 형성된 홀 어레이를 덮지 않는 방향으로 채널을 형성하는 단계;상기 채널이 형성된 캐리어 기판과 공정 기판을 접착하는 단계; 및상기 희생층을 제거하여 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계;를 포함하는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 홀 어레이는 고분자 에폭시를 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 홀 어레이의 면적은 전사할 반도체의 면적보다 작은 1㎛ 내지 1mm범위에서 제작되는 반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 홀 어레이의 지름은 100㎛ 미만의 직경으로 형성된 상태에서, 반도체인 마이크로LED는 100㎛ 이하의 폭과 길이를 갖는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 홀 어레이는 Si bosch 공정, Laser 미세가공 및 고분자 에폭시를 이용한 패터닝 공정을 포함한 공정들 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성되는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 채널은 Si 식각, Laser 미세가공 및 고분자 에폭시를 이용한 패터닝 공정을 포함한 공정들 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성되는,
16 16
베이스 기판 상에 채널을 형성하는 단계;상기 베이스 기판에 형성된 채널마다 일정 간격으로 홀 어레이를 형성하는 단계;외부 펌프모듈 및 진공 조절부와 접속되는 연결공이 형성된 공정 기판을 상기 베이스 기판에 접착하는 단계;를 포함하는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 홀 어레이는 Si bosch 공정 및 Laser 미세가공 포함한 공정들 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성되는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 채널은 Si 식각, Laser 미세가공 및 고분자 에폭시를 이용한 패터닝 공정을 포함한 공정들 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성되는,반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20190378749 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019378749 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 창의소재디스커버리 사업 레이저-소재 상호작용 기반 디스플레이 핵심소재 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 (EZBARO)웨어러블 플랫폼소재 기술센터(2019)