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상변화 기반 시냅스 소자에 있어서, 적어도 하나의 상변화 메모리 소자를 포함하고, 상기 적어도 하나의 상변화 메모리 소자는, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 의해 변화되는 결정 상태 중 결정질 상태 및 유사 결정질 상태 사이에서의 결정 상태들로 데이터들을 나타내는 상변화층을 포함하는 상변화 기반 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 결정질 상태 및 상기 유사 결정질 상태 사이에서의 결정 상태들에 대응하는 저항 상태들로 상기 데이터들을 나타내는 것을 특징으로 하는, 상변화 기반 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 결정질 상태 및 상기 유사 결정질 상태로 이진 데이터를 나타내는 것을 특징으로 하는, 상변화 기반 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 결정질 상태 및 상기 유사 결정질 상태 사이에서의 결정 상태들로 다치화된 데이터들을 나타내는 것을 특징으로 하는, 상변화 기반 시냅스 소자
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5
제1항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 결정질 상태 및 상기 유사 결정질 상태 사이에서의 결정 상태들에 대응하는 기준 범위 내의 저 저항 영역에서의 저항 상태들로 상기 데이터들을 나타내는 것을 특징으로 하는, 상변화 기반 시냅스 소자
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6
제1항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 결정질 상태 및 상기 유사 결정질 상태 사이에서의 결정 상태들에 대응하는 기준 범위 내의 고 저항 영역에서의 저항 상태들로 상기 데이터들을 나타내는 것을 특징으로 하는, 상변화 기반 시냅스 소자
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7
제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 의해 변화되는 결정 상태 중 결정질 상태 및 유사 결정질 상태 사이에서의 결정 상태들로 데이터들을 나타내는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자
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제7항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 결정질 상태 및 상기 유사 결정질 상태 사이에서의 결정 상태들에 대응하는 저항 상태들로 상기 데이터들을 나타내는 것을 특징으로 하는, 상변화 메모리 소자
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제7항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 결정질 상태 및 상기 유사 결정질 상태로 이진 데이터를 나타내는 것을 특징으로 하는, 상변화 메모리 소자
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10
제7항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 결정질 상태 및 상기 유사 결정질 상태 사이에서의 결정 상태들로 다치화된 데이터들을 나타내는 것을 특징으로 하는, 상변화 메모리 소자
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11
제7항에 있어서,상기 상변화 메모리 소자는, 시냅스 소자에서 사용되는 것을 특징으로 하는, 상변화 메모리 소자
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