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하부 전극;상부 전극; 및상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 사이에 구비되고, 복수의 전도성 나노 입자를 포함하는 활성층을 포함하고,상기 전도성 나노 입자는 연속 상을 형성하는 매트릭스 중에 분산되고, 상기 매트릭스는 단백질로 이루어지는, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자가, Au, Zn, Cu, In, Ag, Sn, Sb, Ni, Fe 및 Pt로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 금속 나노 입자인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자가, SiO2, CaO, Cr2O3, MnO2, TiO2, ZrO2, Y2O3, MgO, HfO2, ZnO, Al2O3, SnO2, ITO(Indium tin oxide) 및 InZO(Indium zinc oxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물 나노 입자인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자가, TiN, ZrN, NbN, CrN, VN, TaN, WN, AlN, GaN, InN 및 Si3O4로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 질화물을 포함하는 금속 질화물 나노 입자인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자가, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리에틸렌이민(polyethylenimine, PEI), 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리테트라풀루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene, PTFE), 폴리비닐리덴 플로라이드(polyvinylidene fluoride, PVDF) 및 폴리(바이닐페놀)(poly(vinylpheno), PVP)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전도성 고분자를 포함하는 전도성 고분자 나노 입자인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자가, CdS 양자점, ZnSe 양자점, ZnS 양자점, CdSe 양자점, CdTe 양자점, PbS 양자점, PbSe 양자점, InP 양자점, GaAs 양자점, GaN 양자점, 그래핀 양자점, CNT 양자점, CH3NH3PbBr 페로브스카이트(perovskite) 양자점, WS2 양자점, MoS2 양자점, CsPbCl3 페로브스카이트(perovskite) 양자점, CuInS2 양자점, Cu2ZnSnS4 양자점, 코어-쉘(core-shell) 구조의 CdTe/ZnTe 양자점, 코어-쉘(core-shell) 구조의 Au/Al2O3 양자점, 코어-쉘(core-shell) 구조의 InP/GaAs 양자점, 코어-쉘(core-shell) 구조의 CdTe/CdZnTe 양자점, 코어-쉘-쉘(core-shell-shell) 구조의 CdSe/CdS/ZnS 양자점, 코어-쉘(core-shell) 구조의 CdSe/ZnS 양자점으로부터 선택된 1종 이상의 양자점인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 단백질이 젤라틴(gelatin), 피브로인(fibroin), 세리신(cericin), 알부민(albumin), 페리틴(ferritin), 콜라겐(collagne) 및 리그닌(lignin)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자의 평균 입경이 5 내지 100nm인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 매트릭스의 전체 체적 대비 상기 전도성 나노 입자의 전체 체적의 비가 5:1 내지 10:1인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 활성층의 두께가 10 내지 1000nm인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 활성층이 2층 또는 3층의 다층 구조를 갖는, 전자 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전자 시냅스 소자가 인가되는 전압에 따라 저항이 변화되는 비휘발성 메모리 소자인, 전자 시냅스 소자
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 전자 시냅스 소자를 포함하는 뉴로모픽 장치
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하부 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극 상에 활성층을 형성하는 단계, 및 상기 활성층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전자 시냅스 소자의 제조 방법으로서,상기 활성층을 형성하는 단계는,단백질 용액을 준비하는 단계;상기 단백질 용액에 전도성 나노 입자를 혼합하여 혼합 용액을 얻는 단계; 및상기 하부 전극 상에 상기 혼합 용액을 코팅 또는 증착하는 단계를 포함하는, 전자 시냅스 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 코팅은 스핀 코팅(spin coating) 또는 스프레이 코팅(spray coating)이고, 상기 증착은 진공 열 증착(vacuum thermal evaporation)인, 전자 시냅스 소자의 제조 방법
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