| 1 |
1
상변화 메모리 소자에서 이용되는 선택소자 일체형 상변화 소자에 있어서,상기 상변화 메모리 소자에 포함되는 제1 전극 및 제2 전극으로부터 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되는 P 타입의 상변화 물질층; 및 상기 상변화 물질층에 접촉되는 N 타입의 금속 산화물층을 포함하고, 상기 선택소자 일체형 상변화 소자는, PN 다이오드의 구조로 형성됨으로써, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로부터 공급되는 열을 상기 상변화 물질층에 선택적으로 스위칭하는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 금속 산화물층은, Zn, In 또는 Ga 중 적어도 하나의 양이온을 포함하는 산화물 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 금속 산화물층은, ZnOx 계열의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 ZnOx 계열의 물질은, AZO, ZTO, IZO, ITO, IGZO 또는 Ag-ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 상변화 물질층은, 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성인 역상변화 특성을 갖도록 상변화 물질에 트랜지션 메탈이 함유된 화합물로 형성되는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 상 변화 물질에 상기 트랜지션 메탈이 함유되는 조성비는, 상기 상변화 물질층의 결정 상태가 결정질일 때와 비결정질일 때 사이의 저항비를 최대화하도록 조절되는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 상변화 물질은, Ge, Sb 또는 Te 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 트랜지션 메탈은, Cr, Ti, Ni, Zn, Cu 또는 Mo 중 적어도 하나를 포함하는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 8 |
8
상변화 메모리 소자에서 이용되는 선택소자 일체형 상변화 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 상변화 메모리 소자에 포함되는 제1 전극 및 제2 전극으로부터 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되는 P 타입의 상변화 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 상변화 물질층에 접촉되도록 N 타입의 금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 선택소자 일체형 상변화 소자는, PN 다이오드 구조로 형성됨으로써, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로부터 공급되는 열을 상기 상변화 물질층에 선택적으로 스위칭하는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
선택소자 일체형 상변화 메모리 소자에 있어서,제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치되는 선택소자 일체형 상변화 소자를 포함하고,상기 선택소자 일체형 상변화 소자는, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로부터 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되는 P 타입의 상변화 물질층 및 상기 상변화 물질층에 접촉되는 N 타입의 금속 산화물층을 포함하는 PN 다이오드의 구조로 형성됨으로써, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로부터 공급되는 열을 상기 상변화 물질층에 선택적으로 스위칭하는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 금속 산화물층은, Zn, In 또는 Ga 중 적어도 하나의 양이온을 포함하는 산화물 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 금속 산화물층은, ZnOx 계열의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 ZnOx 계열의 물질은, AZO, ZTO, IZO, ITO, IGZO 또는 Ag-ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 상변화 물질층은, 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성인 역상변화 특성을 갖도록 상변화 물질에 트랜지션 메탈이 함유된 화합물로 형성되는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 14 |
14
제9항에 있어서,상기 상변화 물질은, Ge, Sb 또는 Te 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 트랜지션 메탈은, Cr, Ti, Ni, Zn, Cu 또는 Mo 중 적어도 하나를 포함하는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 15 |
15
고집적 3차원 아키텍처를 갖는 상변화 메모리에 있어서,수평 방향으로 연장 형성된 적어도 하나의 제1 전극 및 상기 적어도 하나의 제1 전극에 대해 수직 방향으로 연장 형성된 제2 전극; 및 상기 적어도 하나의 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치되는 적어도 하나의 선택소자 일체형 상변화 소자를 포함하고, 상기 적어도 하나의 선택소자 일체형 상변화 소자 각각은, 상기 적어도 하나의 제1 전극 및 제2 전극으로부터 공급되는 열에 의해 결정 상태가 변화되는 P 타입의 상변화 물질층 및 상기 상변화 물질층에 접촉되는 N 타입의 금속 산화물층을 포함하는 PN 다이오드의 구조로 형성됨으로써, 상기 적어도 하나의 제1 전극 및 제2 전극으로부터 공급되는 열을 상기 상변화 물질층에 선택적으로 스위칭하는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 금속 산화물층은, Zn, In 또는 Ga 중 적어도 하나의 양이온을 포함하는 산화물 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 소자
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 금속 산화물층은, ZnOx 계열의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 18 |
18
제17항에 있어서,상기 ZnOx 계열의 물질은, AZO, ZTO, IZO, ITO, IGZO 또는 Ag-ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 19 |
19
제15항에 있어서,상기 상변화 물질층은, 결정 상태가 결정질일 때 고 저항성을 갖고 결정 상태가 비결정질일 때 저 저항성인 역상변화 특성을 갖도록 상변화 물질에 트랜지션 메탈이 함유된 화합물로 형성되는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 20 |
20
제15항에 있어서,상기 상변화 물질은, Ge, Sb 또는 Te 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 트랜지션 메탈은, Cr, Ti, Ni, Zn, Cu 또는 Mo 중 적어도 하나를 포함하는 선택소자 일체형 상변화 메모리
|
| 21 |
21
고집적 3차원 아키텍처를 갖는 상변화 메모리의 제조 방법에 있어서, 수평 방향으로 연장 형성된 적어도 하나의 절연층 및 적어도 하나의 제1 전극이 교대로 적층된 구조체를 준비하는 단계; 상기 구조체에 상기 적어도 하나의 제1 전극에 대해 수직 방향으로 수직 홀을 형성하는 단계; 상기 수직 홀 내부 표면에 노출되는 상기 적어도 하나의 제1 전극의 일부를 에칭하는 단계; 상기 적어도 하나의 제1 전극의 일부가 에칭된 공간과 상기 수직 홀 내부 표면에 PN 다이오드 구조로 선택소자 일체형 상변화 소자를 형성하는 단계; 및 상기 선택소자 일체형 상변화 소자가 형성된 상기 수직 홀 내부에 제2 전극을 충진하는 단계를 포함하고, 상기 선택소자 일체형 상변화 소자를 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 제1 전극의 일부가 에칭된 공간 각각에 P 타입의 상변화 물질층을 충진하는 단계; 및 상기 상변화 물질층과 맞닿도록 상기 수직 홀 내부 표면에 N 타입의 금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리의 제조 방법
|
