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하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치되고, 절연성 결정립들과 상기 결정립들 사이의 결정립계 내에 형성된 전도성 나노채널을 포함하는 다결정 금속 산화물막; 및상기 다결정 금속 산화물막 상에 배치된 상부 전극을 포함하는 선택소자
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청구항 1에 있어서,상기 결정립은 하기 화학식 1로 나타낸 금속 산화물의 결정립인 선택소자:[화학식 1]MxOy상기 화학식 1에서, M은 금속이고, x 및 y는 화학양론을 만족하는 정수이다
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청구항 2에 있어서,M은 전이금속(transition metal), 전이후금속(post-transition metal), 반금속(metalloid), Mg, 혹은 이들의 조합인 선택소자
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청구항 1 또는 2에 있어서,상기 결정립은 Ta2O5, TiO2, Nb2O5, WO2, HfO2, ZnO, MoO2, CoO, Cu2O3, AgO, CrO2, Al2O3, Ga2O3, SiO2, MgO 혹은 이들의 조합인 선택소자
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청구항 1에 있어서,상기 나노채널은 상기 결정립 내의 금속 산화물 대비 금속이 풍부한 금속 산화물인 선택소자
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청구항 2에 있어서,상기 나노채널은 하기 화학식 2로 나타낸 금속 산화물인 선택소자:[화학식 2]MxOy-z상기 화학식 2에서, M, x 및 y는 상기 화학식 1에서와 동일하고, z는 0 초과 1 이하이다
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청구항 1 또는 6에 있어서,상기 나노채널은 Ta2O5-z, TiO2-z, Nb2O5-z, WO2-z, HfO2-z, ZnO1-z, MoO2-z, CoO1-z, Cu2O3-z, AgO1-z, CrO2-z, Al2O3-z, Ga2O3-z, SiO2-z, MgO1-z, 혹은 이들의 조합인 선택소자
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청구항 1에 있어서,상기 하부 전극은, 불활성 금속(inert metal)층 또는 불활성 금속 화합물층을 구비하는 선택소자
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청구항 1에 있어서,상기 하부 전극은 상기 금속 산화물막 내에 포함된 금속과 동일한 금속을 구비하는 금속층이고,상기 금속층의 상부에 불활성 금속(inert metal)층 또는 불활성 금속 화합물층인 확산 조절층을 구비하는 선택소자
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청구항 1에 있어서,상기 상부 전극은 상기 금속 산화물막 내의 금속과 동일한 금속막 또는 불활성 금속막인 선택소자
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하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치되고, 다수의 금속 산화물 결정립들과 상기 결정립들 사이에 상기 결정립 내의 금속 산화물 대비 금속이 풍부한 금속산화물 나노채널이 형성된 결정립계를 포함하는 다결정 금속 산화물막; 및상기 다결정 금속 산화물막 상에 배치된 상부 전극을 포함하는 선택소자
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청구항 11에 있어서,상기 결정립은 하기 화학식 1로 나타낸 금속 산화물의 결정립이고,상기 나노채널은 하기 화학식 2로 나타낸 금속 산화물인 선택소자:[화학식 1]MxOy상기 화학식 1에서, M은 금속이고, x 및 y는 화학양론을 만족하는 정수이다
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청구항 12에 있어서,M은 Ta, Ti, Nb, W, Hf, Zn, Mo, Co, Cu, Ag, Cr, Al, Ga, Si, 또는 Mg인 선택소자
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기판 상에 금속층, 확산 조절층, 및 금속 산화물막을 차례로 형성하되, 상기 상기 금속층은 상기 금속 산화물막 내에 포함된 금속과 동일한 금속의 층이고;상기 금속 산화물막이 형성된 기판을 불활성 기체 분위기에서 열처리하여, 상기 금속 산화물막을 결정화시켜 다수의 결정립들과 이들 사이의 결정립계를 갖는 다결정질막으로 변화시키고, 상기 금속층 내의 금속을 상기 확산 조절층을 통해 상기 결정립계로 확산시키는 단계; 및상기 열처리된 금속 산화물막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 선택소자 제조방법
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일 방향으로 평행하게 배치된 다수의 제1 배선들;상기 제1 배선들의 상부에서 상기 제1 배선들에 교차하고 서로 평행하게 배열된 다수의 제2 배선들; 및상기 제1 배선들과 상기 제2 배선들이 교차는 각 부분에서, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선 사이에 차례로 적층되어 배치된 선택 요소와 메모리 요소를 포함하되,상기 선택 요소는 절연성 결정립들과 상기 결정립들 사이의 결정립계 내에 형성된 전도성 나노채널을 포함하는 다결정 금속 산화물막인 크로스 포인트 메모리
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청구항 15에 있어서,상기 선택 요소와 상기 메모리 요소 사이에 배치된 중간 전극을 더 포함하는 크로스 포인트 메모리
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청구항 15에 있어서,상기 메모리 요소는 상변화 메모리층, 저항변화 메모리층, 또는 자기저항 메모리층인 크로스 포인트 메모리
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