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기판 상에 형성된 제1 전극층;
상기 제1 전극층 상에 형성되고 은-안티몬-텔레륨-질소 합금 또는 구리--안티몬-텔레륨-질소 합금으로 구성된 고체 전해질층; 및
상기 고체 전해질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하여 이루어지고,
상기 고체 전해질층을 구성하는 은-안티몬-텔레륨-질소 합금은 은(Ag) 15-90원자(atomic)%, 안티몬(Sb) 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨(Te) 5-30 원자(atomic)% 및 질소(N) 1-25(atomic)%의 조성을 갖고,
상기 고체 전해질층을 구성하는 구리-안티몬-텔레륨-질소 합금은 구리 15-90원자(atomic)%, 안티몬 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨 5-30 원자(atomic)% 및 질소 1-25(atomic)%의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 고체 전해질층을 구성하는 은-안티몬-텔레륨-질소 합금이나 구리-안티몬-텔레륨-질소 합금에 더하여 B, P, Al, Ga, 및 Ge 중의 하나 혹은 그 이상을 1-5 원자(atomic)%가 더 포함되어 은(Ag) 또는 구리 10-90원자(atomic)%, 안티몬(Sb) 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨(Te) 4-30 원자(atomic)% 및 질소(N) 1-25(atomic)%의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 고체 전해질층 및 제2 전극층 사이에 은 또는 구리로 금속 이온 공급층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극층 상에는 상기 제1 전극층의 일부를 노출하는 홀을 구비하는 절연층이 형성되어 있고, 상기 홀을 매립하면서 상기 제1 전극층 및 상기 절연층 상에 상기 고체 전해질층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자
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기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극층 상에 안티몬-텔레륨-질소 합금층을 형성하는 단계;
상기 안티몬-텔레륨-질소 합금층 상에 은 또는 구리로 금속 이온 공급층을 형성하는 단계; 및
상기 금속 이온 공급층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 금속 이온 공급층을 구성하는 은 또는 구리가 상기 안티몬-텔레륨-질소 합금층으로 확산하여 고체 전해질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 안티몬-텔레륨-질소 합금층은 진공 챔버안을 질소 가스, 암모니아 가스 또는 질소 가스나 암모니아 가스의 혼합 가스 분위기로 한 상태에서 안티몬-텔레륨-합금층을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 안티몬-텔레륨-질소 합금층은 질소가 첨가된 안티몬-텔레륨-합금으로 구성된 스퍼터 타켓을 이용하거나, 안티몬-텔레륨 합금층을 증착시 질소가 첨가된 금속 스퍼터 타켓을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 안티몬-텔레륨-질소 합금층은 안티몬 19-45원자(atomic)%, 텔레륨 25-80 원자(atomic)% 및 질소 1-30원자(atomic)%의 조성을 갖게 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 안티몬-텔레륨-질소 합금층은 B, P, Al, Ga, 및 Ge 중의 하나 혹은 그 이상을 1-5 원자(atomic)%가 더 포함되어 안티몬 18-45원자(atomic)%, 텔레륨 20-80 원자(atomic)% 및 질소 1-30원자(atomic)%인 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 금속 이온 공급층을 형성한 후에, 상기 금속 이온 공급층의 금속 이온의 확산이 용이하도록 열처리 공정 또는 광 조사 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 금속 이온 공급층이 상기 안티몬-텔레륨-질소 합금층으로 완전히 확산하여 고용체를 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 금속 이온 공급층중 일부가 상기 안티몬-텔레륨-질소 합금층으로 확산하여 고용체를 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 메모리 소자의 제조방법
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