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1
제1 단자;
상기 제1 단자에 연결되는 제1 문턱 스위칭층;
상기 제1 문턱 스위칭층에 연결되는 상변화층;
상기 상변화층에 연결되는 제2 문턱 스위칭층;
상기 제2 문턱 스위칭층에 연결되는 제2 단자; 및
상기 상변화층의 일측부 및 타측부에 각각 연결되는 제3 단자 및 제4 단자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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2
제1항에 있어서, 상기 상변화층은 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)중 어느 하나를 포함하는 칼코겐(chalcogen) 화합물, 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 안티몬 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1 문턱 스위칭층 또는 제2 문턱 스위칭층은 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)중 어느 하나를 포함하고, 비소(As) 또는 인(P)이 더 포함되어 있는 칼코겐(chalcogen) 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제3 단자 또는 제4 단자에 연결되는 소오스/드레인 단자와 상기 제2 단자에 연결되는 게이트 단자를 갖는 MOS 트랜지스터를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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5
제1 단자;
상기 제1 단자 상에 순차적으로 형성된 제1 문턱 스위칭층, 상변화층, 제2 문턱 스위칭층 및 제2 단자; 및
상기 상변화층의 일측부 및 타측부에 각각 연결되는 제3 단자 및 제4 단자를 포함하고,
상기 제1 단자, 제1 문턱 스위칭층, 제2 문턱 스위칭층 및 제 2단자를 통하여 상기 상변화층에 전기 펄스를 공급하여 상기 상변화층의 가역적인 상변화를 유발시켜 상기 제3 단자, 상변화층, 및 제4 단자를 통해서 이동하는 전기 신호를 제어하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 제1 문턱 스위칭층 및 제2 문턱 스위칭층은 문턱 스위칭 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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7
제5항에 있어서, 상기 상변화층은 인가되는 전류량에 따라 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변화되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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8
반도체 기판 상에 형성된 제1 금속층;
상기 제1 금속층 상에 형성된 제1 문턱 스위칭층;
상기 제1 금속층 및 제1 문턱 스위칭층 상에 절연층을 개재하여 형성된 제2 금속층;
상기 제2 금속층을 관통하여 상기 제1 문턱 스위칭층과 연결되는 상변화층;
상기 상변화층 상에 형성된 제2 문턱 스위칭층;
상기 제1 금속층과 연결되어 상기 제1 문턱 스위칭층과 연결되는 제3 금속층; 및
상기 제2 문턱 스위칭 상에 형성되는 제4 금속층을 포함하여 이루어지고,
상기 제3 금속층 및 제4 금속층은 상기 제1 문턱 스위칭층 및 제2 문턱 스위칭층과 연결되는 제1 및 제2 단자이고, 상기 제2 금속층의 일측 및 타측은 각각 상기 상변화층과 연결되는 제3 및 제4 단자인 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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9
제8항에 있어서, 상기 제3 단자 또는 제4 단자에 연결되는 소오스/드레인 단자와 상기 제2 단자에 연결되는 게이트 단자를 갖는 MOS 트랜지스터를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 소자
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