요약 | 본 발명은 기판과, 발광 소자와, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛을 공진시키는 광공진층을 포함하고, 상기 광공진층은 폴리실세스퀴옥산계 공중합체를 포함한 제1층을 포함하며, 상기 폴리실세스퀴옥산계 공중합체 중 서로 다른 2개의 실리콘(Si)을 연결하는 연결기(linking group)가 -O- 또는 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기인 발광 장치에 관한 것이다. 상기 발광 장치는 우수한 외부효율, 색순도, 내구성 등을 가지며, 간단한 공정으로 제조될 수 있다.발광 장치 |
---|---|
Int. CL | H05B 33/20 (2011.01) H05B 33/22 (2011.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020070031085 (2007.03.29) |
출원인 | 삼성에스디아이 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단 |
등록번호/일자 | 10-0813850-0000 (2008.03.10) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20080317) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.03.29) |
심사청구항수 | 24 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성에스디아이 주식회사 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이선영 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
2 | 이종혁 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
3 | 송영우 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
4 | 이준구 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
5 | 이소영 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
6 | 윤도영 | 미국 | 서울시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
2 | 삼성디스플레이 주식회사 | 경기 용인시 기흥구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0247709-77 |
2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2007.12.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0911335-47 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.12.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0004209-61 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
6 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.01.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0055863-78 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.03.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5048186-86 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.05.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5090730-68 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5017230-44 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판;발광 소자; 및상기 발광 소자로부터 방출된 빛을 공진시키는 광공진층;을 포함하고,상기 광공진층은 폴리실세스퀴옥산계 공중합체를 포함한 제1층을 포함하고, 상기 폴리실세스퀴옥산계 공중합체 중 서로 다른 2개의 실리콘(Si)을 연결하는 연결기(linking group)가 -O- 또는 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
2 |
2 제1항에 있어서,상기 기판 상부에 광공진층 및 발광 소자가 순서대로 적층되어 있고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광이 광공진층을 거쳐 기판을 통하여 외부로 취출되는 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
3 |
3 제1항에 있어서,상기 기판 상부에 발광 소자 및 광공진층이 순서대로 적층되어 있고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광이 광공진층을 거쳐 외부로 취출되는 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
4 |
4 제1항에 있어서,상기 연결기가 -O- 또는 C1-C10알킬렌기인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 제1층에 포함된 폴리실세스퀴옥산계 공중합체의 말단기가 히드록실기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기 및 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
6 |
6 제1항에 있어서,상기 제1층에 포함된 폴리실세스퀴옥산계 공중합체의 말단기가 히드록실기, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
7 |
7 제1항에 있어서,상기 제1층에 포함된 폴리실세스퀴옥산계 공중합체가 랜덤형, 사다리형 또는 케이지형인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
8 |
8 제1항에 있어서,상기 제1층에 포함된 폴리실세스퀴옥산계 공중합체가 하기 화학식 1로 표시되는 단량체 및 하기 화학식 2로 표시되는 단량체의 축합 반응 결과물인 것을 특징으로 하는 발광 장치:<화학식 1><화학식 2>상기 화학식 중, X1, X2, X3, X4, Z1, Z2, Z3, Z4, Z5 및 Z6는 서로 독립적으로, 히드록실기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기이고;A1은 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기이다 |
9 |
9 제8항에 있어서, X1, X2, X3, X4, Z1, Z2, Z3, Z4, Z5 및 Z6는 서로 독립적으로, 히드록실기, C1-C10알킬기 또는 C1-C10알콕시기이고, A1은 C1-C10알킬렌기인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
10 |
10 제8항에 있어서, 상기 제1층에 포함된 폴리실세스퀴옥산계 공중합체가 상기 화학식 1로 표시되는 단량체와 상기 화학식 2로 표시되는 단량체를 1:9 내지 9:1의 몰비로 사용하여 얻은 축합 반응 결과물인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
11 |
11 제1항에 있어서, 상기 폴리실세스퀴옥산계 공중합체를 포함한 제1층의 굴절율이 1 |
12 |
12 제1항에 있어서, 상기 폴리실세스퀴옥산계 공중합체를 포함한 제1층의 모듈러스가 7 |
13 |
13 제1항에 있어서,상기 제1층에 포함된 폴리실세스퀴옥산계 공중합체의 중량 평균 분자량이 1,000 내지 100,000인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
14 |
14 제1항에 있어서, 상기 제1층이 나노 기공 형성체를 더 포함한 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
15 |
15 제14항에 있어서, 상기 나노 기공 형성체가 나노포러스실리카(Nano porous silica), 실리카에어로젤, 폴리카프로락톤 및 시클로덱스트린으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
16 |
16 제1항에 있어서,상기 광공진층은, 상기 제1층보다 높은 굴절율을 갖는 제2층을 더 포함하고, 상기 제1층과 상기 제2층은 상기 발광 소자로부터 멀어지는 방향으로 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
17 |
17 제16항에 있어서,상기 제1층과 상기 제2층의 굴절율 차이는 0 |
18 |
18 제16항에 있어서,상기 제2층의 굴절율이 1 |
19 |
19 제16항에 있어서,상기 제2층은 실리콘나이트라이드, 티타늄옥사이드, 하프늄다이옥사이드, 니오븀옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 안티몬옥사이드, BCB 및 티타늄 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
20 |
20 제1항에 있어서,상기 발광 소자와 상기 광공진층 사이에 중간층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
21 |
21 제20항에 있어서,상기 중간층은 오모서(ORMOCER), 실리콘옥사이드, BCB, 및 실리콘나이트라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 더 포함한 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
22 |
22 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함한 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
23 |
23 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 소자는, 적색, 녹색 및 청색 발광층을 각각 포함한 적색, 녹색 및 청색 부화소를 포함하고,상기 적색 부화소의 광공진층 두께와 상기 녹색 부화소의 광공진층 두께가 서로 상이하거나, 상기 녹색 부화소의 광공진층 두께와 상기 청색 부화소의 광공진층 두께가 서로 상이하거나, 상기 청색 부화소의 광공진층 두께와 상기 적색 부화소의 광공진층 두께가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
24 |
24 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 소자는 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 발광 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US08865320 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20080237615 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2008237615 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US8865320 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-0813850-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20070329 출원 번호 : 1020070031085 공고 연월일 : 20080317 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080131 청구범위의 항수 : 24 유별 : H05B 33/22 발명의 명칭 : 발광 장치 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 삼성에스디아이 주식회사 경기 수원시 영통구... |
1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
2 |
(권리자) 삼성모바일디스플레이 주식회사 경기도 용인시 기흥구... |
2 |
(의무자) 삼성에스디아이 주식회사 경기 수원시 영통구... |
3 |
(권리자) 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구... |
3 |
(의무자) 삼성모바일디스플레이 주식회사 경기도 용인시 기흥구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,146,000 원 | 2008년 03월 11일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2011년 02월 28일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2012년 02월 29일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2013년 02월 28일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2014년 03월 03일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2015년 02월 27일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2016년 02월 29일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2017년 02월 28일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2018년 03월 02일 | 납입 |
제 12 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2019년 03월 04일 | 납입 |
제 13 년분 | 금 액 | 1,680,000 원 | 2020년 02월 27일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2007.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0247709-77 |
2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2007.12.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0911335-47 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.12.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2008.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0004209-61 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
6 | 등록결정서 | 2008.01.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0055863-78 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.03.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5048186-86 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.05.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5090730-68 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5017230-44 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1340013728 |
---|---|
세부과제번호 | 과06A1501 |
연구과제명 | 화학분자공학연구단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~201202 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1345071023 |
---|---|
세부과제번호 | 과06A1501 |
연구과제명 | 화학분자공학사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | 기타 |
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