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ＦＥＴ 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015162611
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 본 발명은 FET 센서 및 FET 센서의 제조방법에 관한 것이다. 기존의 FET 센서는 센서 주변부를 에폭시 수지로 두껍게 패시베이션을 하기 때문에 마이크로한 환경에 부적합하다. 본 발명에서는 FET 센서의 제조 공정상 발생하는 소잉공정을 하기 전에 소정의 보호박막을 FET 센서의 lateral side를 포함한 주변부에 증착시켰다. 즉, FET 센서의 하면부의 실리콘 기판 상에 형성된 백사이드 절연층과 백사이드 절연층에서 연장되어 FET 센서의 측면부 및 상부를 둘러싸며 패시베이션하는 보호막을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 패시베이션 층이 매우 얇기 때문에 마이크로한 환경을 보다 효율적으로 감지할 수 있고, 외부 환경으로부터의 데미지 또한 최소화할 수 있는 장점이 있다. FET 센서, passivation, silicon-on-insulator, 보호막, 산화막, 질화막.
Int. CL H01L 29/82 (2006.01)
CPC G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01)
출원번호/일자 1020070043291 (2007.05.03)
출원인 주식회사 바이오트론, 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0877246-0000 (2008.12.26)
공개번호/일자 10-2008-0097884 (2008.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20090113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 바이오트론 대한민국 강원도 강릉시
2 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최시영 대한민국 대구 동구
2 장규호 대한민국 인천 부평구
3 윤수상 대한민국 경기 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)
2 신명용 대한민국 서울시 서초구 남부순환로 ***길 **, *층 (서초동, 영동빌딩)(제이앤케이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 바이오트론 대한민국 강원도 강릉시
2 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0333588-89
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0065002-86
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0422413-74
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014447-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0161815-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0332725-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0332726-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.07.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5120859-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5121450-47
11 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0500890-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2012-5183296-71
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판, 상기 실리콘 기판상에 형성되는 센싱 게이트영역, 상기 센싱 게이트영역 일측의 상기 실리콘 기판 상에 형성된 소스영역 및 상기 센싱 게이트영역 타측의 상기 실리콘 기판 상에 형성된 드레인영역을 포함하여 구성된 FET 센서에 있어서,상기 실리콘 기판의 하면부에 형성된 백사이드 절연층;상기 백사이드 절연층에서 상기 실리콘 기판의 측면으로 연장되어, 상기 FET 센서의 측면부 및 상부를 둘러싸며 패시베이션하는 보호막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 FET 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 FET 센서의 측면부는 단위 소자를 생산하기 위해 형성되는 소잉영역의 측벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 FET 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 보호막은,상기 백사이드 절연층에서 연장되어 상기 FET 센서의 측면부 및 상부를 둘러싸는 산화막층으로 구성된 제 1 보호막과;상기 제 1 보호막 층을 둘러싸는 질화막층으로 구성된 제 2 보호막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 FET 센서
4 4
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 FET 센서
5 5
제 1 항에 있어서,상기 FET 센서는 pH 센서, 용존 산소 센서, 용존 이산화탄소 센서 또는 온도 센서인 것을 특징으로 하는 FET 센서
6 6
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 기판은 SOI 구조의 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 FET 센서
7 7
(a) 백사이드 절연층을 포함하는 실리콘 기판 상에 필드산화막층을 형성하는 단계;(b) 상기 실리콘 기판 상에 소스영역 및 드레인영역을 형성하는 단계;(c) 단위 소자별로 상기 실리콘 기판을 상기 백사이드 절연층까지 식각하여 단위 소자가 분리되는 소잉영역을 형성하는 단계;(d) 상기 실리콘 기판 상에 센싱 게이트 영역을 형성하는 단계;(e) 상기 백사이드 절연층에서 연장되어 상기 FET 센서의 측면부 및 상부를 둘러싸며 패시베이션하는 보호막을 형성하는 단계;(f) 상기 소잉영역을 따라 소잉하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 FET 센서의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 (e) 단계의 FET 센서의 측면부는 상기 소잉영역의 측벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 FET 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.