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이차원 전자가스를 갖는 적층구조물, 이를 포함하는 반도체소자 및 이들의 제조방법

기술번호 : KST2015161867
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	이차원 전자가스를 갖는 적층구조물, 이를 포함하는 반도체소자 및 이들의 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 적층구조물의 형성방법은 제1물질층을 형성하는 단계, 상기 제1물질층을 열처리하는 단계 및 상기 제1물질층 상에 상기 제1물질층에 이차원 전자가스(two-dimensional electron gas)(2DEG)를 유발시키는 제2물질층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1물질층의 열처리는 상기 제1물질층의 표면 조도(surface roughness) 및/또는 표면 상태(surface states)를 증가시키는 조건으로 수행할 수 있다. 위와 같은 방법으로 형성된 적층구조물 상에 반도체소자를 제조할 수 있다.
Int. CL	H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC	H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01)
출원번호/일자	1020110061798 (2011.06.24)
출원인	삼성전자주식회사, 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0006870 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.05.26)
심사청구항수	17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	경북대학교 산학협력단	대한민국	대구광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최혁순	대한민국	경기도 화성
2	이정희	대한민국	대구광역시 수성구
3	신재광	대한민국	경기도 안양시 동안구
4	오재준	대한민국	경기도 성남시 분당구
5	하종봉	대한민국	경기도 용인시 기흥구
6	김종섭	대한민국	경기도 화성시
7	황인준	대한민국	경기도 화성시
8	홍기하	대한민국	충청남도 천안시 서북구
9	임기식	대한민국	대구광역시 북구
10	김기원	대한민국	대구광역시 수성구
11	김동석	대한민국	대구광역시 동구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사		경기도 수원시 영통구
2	경북대학교 산학협력단		대구광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.06.24	수리 (Accepted)	1-1-2011-0483864-32
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2016.05.26	수리 (Accepted)	1-1-2016-0507605-60
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.07.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0508332-50
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.07.31	수리 (Accepted)	1-1-2017-0740068-30
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.07.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0740069-86
7	등록결정서 Decision to grant	2017.11.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0789231-15
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.03.26	수리 (Accepted)	4-1-2018-5051994-32
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.23	수리 (Accepted)	4-1-2020-5136893-04

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제1물질층을 형성하는 단계; 상기 제1물질층을 열처리하는 단계; 및 상기 제1물질층 상에 상기 제1물질층에 2DEG(2-dimensional electron gas)를 유발시키는 제2물질층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1물질층의 열처리는 상기 제1물질층의 표면 조도(surface roughness)를 증가시키는 조건으로 수행하는 적층구조물의 형성방법
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제1물질층의 열처리는 상기 제1물질층의 표면 상태(surface states)를 증가시키는 조건으로 수행하는 적층구조물의 형성방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 제1물질층의 열처리는 500∼1200℃ 사이의 온도로 수행하는 적층구조물의 형성방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 제1물질층의 열처리는 질소 분위기에서 수행하는 적층구조물의 형성방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 제1물질층 및 제2물질층 중 적어도 하나는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체를 포함하는 적층구조물의 형성방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 제1물질층은 GaN, InN 및 GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 적층구조물의 형성방법
8	8 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제2물질층은 AlGaN, AlInN 및 AlGaAs 중 적어도 하나를 포함하는 적층구조물의 형성방법
9	9 제1물질층을 형성하는 단계; 상기 제1물질층의 표면 모폴로지(surface morphology)를 변화시키는 단계; 상기 제1물질층 상에 상기 제1물질층에 2DEG(2-dimensional electron gas)를 유발시키는 제2물질층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1물질층의 표면 모폴로지를 변화시키는 단계는 상기 제1물질층의 표면 상태(surface states)를 증가시키는 조건으로 수행하는 적층구조물의 형성방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 제1물질층의 표면 모폴로지를 변화시키는 단계는 상기 제1물질층의 표면 조도(surface roughness)를 증가시키는 조건으로 수행하는 적층구조물의 형성방법
11	11 삭제
12	12 제 9 항에 있어서, 상기 제1물질층의 표면 모폴로지를 변화시키는 단계는 상기 제1물질층을 열처리하는 단계를 포함하는 적층구조물의 형성방법
13	13 제 9 항에 있어서, 상기 제1물질층 및 제2물질층 중 적어도 하나는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체를 포함하는 적층구조물의 형성방법
14	14 청구항 1에 기재된 방법으로 2DEG(2-dimensional electron gas)를 포함하는 적층구조물을 형성하는 단계; 및 상기 적층구조물 상에 상기 2DEG를 이용하는 소자를 형성하는 단계;를 포함하는 반도체소자의 제조방법
15	15 청구항 9에 기재된 방법으로 2DEG(2-dimensional electron gas)를 포함하는 적층구조물을 형성하는 단계; 및 상기 적층구조물 상에 상기 2DEG를 이용하는 소자를 형성하는 단계;를 포함하는 반도체소자의 제조방법
16	16 표면 조도(surface roughness)가 2nm 이상인 제1면을 갖는 제1물질층; 상기 제1물질층의 제1면에 구비된 것으로, 상기 제1물질층에 2DEG(2-dimensional electron gas)를 유발시키는 제2물질층; 및 상기 제2물질층 상에 구비된 것으로, 상기 2DEG를 이용하는 소자;를 포함하고, 상기 2DEG의 전자 농도는 1014/㎠ 이상인 반도체소자
17	17 삭제
18	18 제 16 항에 있어서, 상기 제1물질층 및 제2물질층 중 적어도 하나는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체를 포함하는 반도체소자
19	19 제 18 항에 있어서, 상기 제1물질층은 GaN, InN 및 GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 반도체소자
20	20 제 18 항에 있어서, 상기 제2물질층은 AlGaN, AlInN 및 AlGaAs 중 적어도 하나를 포함하는 반도체소자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.06.24	수리 (Accepted)	1-1-2011-0483864-32
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2016.05.26	수리 (Accepted)	1-1-2016-0507605-60
4	의견제출통지서	2017.07.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0508332-50
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.07.31	수리 (Accepted)	1-1-2017-0740068-30
6	[명세서등 보정]보정서	2017.07.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0740069-86
7	등록결정서	2017.11.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0789231-15
8	출원인정보변경(경정)신고서	2018.03.26	수리 (Accepted)	4-1-2018-5051994-32
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.23	수리 (Accepted)	4-1-2020-5136893-04


과제고유번호	1345149912
세부과제번호	2011-0016222
연구과제명	AlGaN/GaN기반의 차세대 대전력/고효율 전력 소자 및 인버터/컨버터 IC 개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	경북대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	201105~201604
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1345155677
세부과제번호	2008-0062430
연구과제명	MOCVD를 이용하여 실리콘 기판 위에 선택적 GaN계 박막 성장 기술 개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	경북대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	200809~201502
기여율	0.5
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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[1020090123987]	인헨스먼트 노말리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법	새창보기

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