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질화물 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015161996
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 소자는 서로 다른 전기적 특성을 갖는 질화물계의 이종 물질로 적층 구조를 형성하며, 상기 적층 구조 내의 적어도 하나의 층은 제1 영역의 제1 전극 접합층과 제2 영역의 제2 전극 접합층을 포함하는 활성층, 제1 영역 또는 제2 영역상에 형성되는 전계 분산층, 전계 분산층을 사이에 두어 제1 전극 접합층 및 제2 전극 접합층에 각각 접촉하여 형성되는 제1 전극 및 제2 전극과, 제1 영역 및 제2 영역의 경계 부위에 형성되는 제3 전극을 포함하는 복수의 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020110136743 (2011.12.16)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1322642-0000 (2013.10.17)
공개번호/일자 10-2013-0069159 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20131028) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 김동석 대한민국 대구광역시 동구
3 임기식 대한민국 대구광역시 북구
4 강희성 대한민국 대구광역시 북구
5 김기원 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1004407-68
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0058480-72
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0271401-25
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0271408-44
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0507815-84
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 다른 전기적 특성을 갖는 질화물계의 이종 물질로 적층 구조를 형성하며, 상기 적층 구조 내의 적어도 하나의 층은 제1 영역의 제1 전극 접합층과 제2 영역의 제2 전극 접합층을 포함하는 활성층;상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역상에 형성되는 전계 분산층; 및상기 전계 분산층을 사이에 두어 상기 제1 전극 접합층 및 상기 제2 전극 접합층에 각각 접촉하여 형성되는 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계 부위에 형성되는 제3 전극을 포함한 복수의 전극을포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 활성층상의 상기 제1 전극 접합층과 상기 제2 전극 접합층은 홈을 통해 물리적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 질화물 반도체 소자는 상기 제3 전극의 하부에 배치되는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 질화물 반도체 소자는 상기 전계 분산층에 접촉하는 제4 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 질화물 반도체 소자는 상기 제4 전극의 하부에 배치되는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
6 6
제4항에 있어서,상기 제4 전극은 상기 제1 전극 또는 상기 제3 전극과 전기적으로 서로 접속하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
7 7
제4항에 있어서,상기 제1 전극과 제2 전극은 제1 도전성 물질로 형성되고, 상기 제3 전극과 상기 제4 전극은 제2 도전성 물질로 형성되며, 상기 제1 도전성 물질과 상기 제2 도전성 물질은 서로 다른 물질인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
8 8
서로 다른 전기적 특성을 갖는 질화물계의 이종 물질로 적층 구조를 형성하며, 상기 적층 구조 내의 적어도 하나의 층은 제1 영역의 제1 전극 접합층과 제2 영역의 제2 전극 접합층을 포함하는 활성층을 형성하는 단계;상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역상에 전계 분산층을 형성하는 단계; 및상기 전계 분산층을 사이에 두어 상기 제1 전극 접합층 및 상기 제2 전극 접합층에 각각 접촉하는 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계 부위에 위치하는 제3 전극을 포함한 복수의 전극을 형성하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 접합층과 상기 제2 전극 접합층을 물리적으로 구분하기 위한 홈을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 복수의 전극을 형성하는 단계는, 상기 전계 분산층상에 제4 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 질화물 반도체 소자의 제조 방법은,상기 전계 분산층을 형성한 이후에 상기 활성층상에 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 제1 전극 접합층 및 상기 제2 전극 접합층에 각각 접촉하도록 상기 제1 전극 접합층 및 상기 제2 전극 접합층상의 절연막과, 상기 제4 전극이 상기 전계 분산층에 접촉하도록 상기 전계 분산층상의 절연막에 컨택홀을 각각 형성하는 단계를더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
12 12
제10항에 있어서,상기 제4 전극은 상기 제1 전극 또는 상기 제3 전극과 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.