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반도체 소자 제조방법에 있어서,기판 상에 제1 반도체층을 마련하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 기 설정된 폭을 갖는 마스크층을 형성하여 상기 제1 반도체층을 건식 식각하는 단계;상기 제1 반도체층의 폭이 상기 마스크층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 상기 건식 식각된 제1 반도체층의 측면을 습식 식각하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계;상기 건식 식각 및 상기 습식 식각에 의해 상기 제1 반도체층이 제거된 부분에 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층과 상기 절연층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 절연층을 형성하는 단계는,상기 건식 식각 및 상기 습식 식각에 의해 상기 제1 반도체층이 제거된 부분과 상기 제1 반도체층상에 절연층을 증착하는 단계;상기 증착된 절연층에 스핀 코팅 방식으로 포토레지스트를 증착하는 단계; 및건식 식각을 수행하여, 상기 포토레지스트를 제거하며 상기 증착된 절연층을 평탄화하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층을 마련하는 단계는,상기 기판 상에 제3 반도체층을 마련하는 단계;상기 제3 반도체층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2 반도체층 상에 상기 제1 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제3 반도체층은 GaN으로 구성되고, 상기 제2 반도체층은 AlGaN 또는 AlN으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제1 반도체층은,p타입 도펀트로 도핑된 GaN으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제2 반도체층상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 평탄화하는 단계는,상기 제1 반도체층과 상기 절연층을 같은 높이로 평탄화하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 습식 식각하는 단계는, TMAH(tetra-methyl ammonium hydroxide) 용액을 사용하여 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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