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질화물 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,기판상에 질화갈륨층을 성장시키는 단계;상기 질화갈륨층상에 기설정된 도핑 농도를 갖는 제1 질화물층을 성장시키는 단계;상기 제1 질화물층을 식각하여 상기 질화갈륨층상에 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이를 연결하는 핀 모양 채널층을 형성하는 단계;상기 소스 영역 및 드레인 영역의 도핑 농도를 높이는 단계;상기 채널층을 감싸는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 및 드레인 영역에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 상기 절연층을 감싸는 제3 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 도핑 농도를 높이는 단계는,상기 소스 영역 및 드레인 영역에 존재하는 상기 제1 질화물층을 모두 식각하고, 상기 기설정된 도핑 농도보다 고농도로 도핑된 제2 질화물층을 성장시켜 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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질화물 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,기판상에 질화갈륨층을 성장시키는 단계;상기 질화갈륨층상에 기설정된 도핑 농도를 갖는 제1 질화물층을 성장시키는 단계;상기 제1 질화물층을 식각하여 상기 질화갈륨층상에 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이를 연결하는 핀 모양 채널층을 형성하는 단계;상기 소스 영역 및 드레인 영역의 도핑 농도를 높이는 단계;상기 채널층을 감싸는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 및 드레인 영역에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 상기 절연층을 감싸는 제3 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 도핑 농도를 높이는 단계는,식각 및 재성장 과정 없이 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 존재하는 상기 제1 질화물층에 실리콘 임플렌테이션(Si-implantation)을 하여 도핑 농도를 높이는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 질화물층은 GaN, AlGaN, InGaN 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항 또는 제3항에 있어서,상기 질화갈륨층은 상기 제1 질화물층보다 고저항이고,상기 기설정된 도핑 농도는 5×1016 atom/cm3 내지 5×1017atom/cm3 사이의 값인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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질화물 반도체 소자에 있어서,기판상에 형성된 질화갈륨층;상기 질화갈륨층상에 기설정된 도핑 농도를 갖는 제1 질화물로 형성된 핀 모양의 채널층;상기 질화갈륨층상에 기설정된 도핑 농도보다 고농도인 제2 질화물로 형성되고, 상기 채널층으로 연결된 소스 영역 및 드레인 영역;상기 채널층을 감싸는 절연층;상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 절연층을 감싸는 제3 전극;을 포함하고,상기 소스 영역 및 드레인 영역은,상기 제1 질화물로 형성되었다가, 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 존재하는 상기 제1 질화물을 모두 식각하고, 상기 제2 질화물을 성장시켜 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 질화물은 GaN, AlGaN, InGaN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 질화갈륨층은 상기 제1 및 제2 질화물보다 고저항이고,상기 기설정된 도핑 농도는 5×1016 atom/cm3 내지 5×1017atom/cm3 사이의 값인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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