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고저항성 질화물 박막 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015162248
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고저항성 질화물 박막이 개시된다. 본 발명에 의한 고저항성 질화물 박막은 기판 상부에 배치되는 질화물 박막을 포함하며, 질화물 박막은 미도핑된(undoped) 층 및 도핑된 고저항성 박막층이 교대로 적층된 것이다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01)
출원번호/일자 1020130103464 (2013.08.29)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1473723-0000 (2014.12.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.29)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 김동석 대한민국 대구광역시 동구
3 노정현 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 강희성 대한민국 대구광역시 북구
5 한철구 대한민국 경기도 가평군
6 전상민 대한민국 경상북도 포항시 북구
7 원철호 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0791840-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0031281-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0346410-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0684487-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0684488-96
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1008725-79
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0805510-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자에 있어서, 기판;상기 기판 상부에 배치되는 버퍼층;상기 버퍼층 상부에 배치되는 질화물 박막; 및상기 질화물 박막 상에 회로 소자가 형성되는 소자 층;을 포함하고, 상기 질화물 박막은 미도핑된(undoped) 층 및 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막층이 교대로 적층된 것인 반도체 소자
2 2
고저항성 질화물 박막에 있어서,기판 상부에 배치되는 질화물 박막;을 포함하며, 상기 질화물 박막은 미도핑된(undoped) 층 및 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막층이 교대로 적층된 것인 고저항성 질화물 박막
3 3
제2항에 있어서,상기 질화물 박막은 미도핑된 제1 층;상기 제1 층 상면에 배치된 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막인 제2 층;상기 제2 층 상면에 배치된 미도핑된 제3 층; 및상기 제3 층 상면에 배치된 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막인 제4 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 고저항성 질화물 박막
4 4
제2항에 있어서,상기 기판과 상기 질화물 박막 사이에 배치되는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고저항성 질화물 박막
5 5
제2항에 있어서,상기 미도핑된 층은 미도핑된 GaN(Gallium Nitride) 층이며,상기 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막층은 p타입 도펀트로 도핑된 GaN 층인 것을 특징으로하는 고저항성 질화물 박막
6 6
제5항에 있어서,상기 p타입 도펀트는 탄소(C)인 것을 특징으로 하는, 고저항성 질화물 박막
7 7
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 고저항성 질화물 박막을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 소자
8 8
고저항성 질화물 박막의 제조 방법에 있어서, 기판 상부에 버퍼층을 적층하는 단계; 및상기 버퍼층 상부에 미도핑된(undoped) 층 및 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막층을 교대로 적층하는 단계;를 포함하는 고저항성 질화물 박막의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 교대로 적층하는 단계는,상기 버퍼층 상면에 미도핑된 제1 층을 적층하는 단계;상기 제1 층 상면에 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막인 제2 층을 적층하는 단계;상기 제2 층 상면에 미도핑된 제3 층을 적층하는 단계; 및상기 제3 층 상면에 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막인 제4 층을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고저항성 질화물 박막의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 미도핑된 층은 미도핑된 GaN(Gallium Nitride) 층이며,상기 p타입 도펀트로 도핑된 고저항성 박막층은 p타입 도펀트로 도핑된 GaN 층인 것을 특징으로하는 고저항성 질화물 박막의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 p타입 도펀트는 탄소(C)인 것을 특징으로 하는 고저항성 질화물 박막의 제조 방법
12 12
제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 고저항성 질화물 박막의 제조 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.