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인헨스먼트 노말리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015163024
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 질화물 반도체 층 상부에 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제2 질화물층 반도체 층 상부의 게이트 영역의 상기 제1 질화물 반도체 층 깊이까지 식각하는 단계; 상기 식각된 부분과 상기 제2 질화물 반도체층 상부에 절연막을 형성하는 단계; 소스/드레인 영역을 패터닝 하고, 상기 소스/드레인 영역의 상기 절연막을 식각하고, 상기 소스/드레인 영역에 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 영역의 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명을 제공하면, 게이트 영역의 하부의 원천적으로 2DEG를 봉쇄하여 노말리 오프(normally off) 인헨스먼트 소자를 용이하게 구현할 수 있는 방법을 제공하고, HEMT 소자에 있어서 인헨스먼트 노말리 오프(Enhancement Normally off) 전력 반도체 소자로서 고효율의 구동회로가 간단한 반도체 소자를 제공할 수 있게 된다. 2DEG, 노말리 오프(normally off), HEMT, 질화물 반도체, 밴드갭
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090123987 (2009.12.14)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1092467-0000 (2011.12.05)
공개번호/일자 10-2011-0067409 (2011.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20111213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 임기식 대한민국 대구광역시 북구
3 하종봉 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김일환 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0770831-32
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0100265-12
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0047202-99
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0026402-75
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0165279-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0392550-00
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0392563-93
9 등록결정서
Decision to grant
2011.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0682362-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
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기판에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 질화물 반도체 층 상부의 게이트 영역에 실리콘산화막(SiO2)으로 마스킹 장벽을 패터닝하는 단계; 상기 마스킹 장벽을 사이에 두고 소스/드레인 영역에 밴드갭이 다른 제2 질화물 반도체 층을 형성하여 상기 소스/드레인영역 하부에 이종접합층을 형성하는 단계; 상기 마스킹 장벽을 제거하는 단계; 상기 제2 질화물 반도체 층 및 상기 마스킹 장벽이 제거된 층 상부에 절연막을 형성하는 단계; 소스/드레인 영역을 패터닝 하고, 상기 소스/드레인 영역의 상기 절연막을 식각하고, 상기 소스/드레인 영역에 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 영역의 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 질화물 반도체 층은 AlGaN 층인 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 질화물 반도체 층 및 제2 질화물 반도체 층은 MOCVD 법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 절연막은 Al2O3 , HfO2 및 SiO2 중 어느 하나를 재질로 하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 마스킹 장벽은 SiO2을 재질로 하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
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제7항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자
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1 US2011140121 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8551821 US 미국 DOCDBFAMILY
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