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3차원 질화물 공명 터널링 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014034923
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 질화물 공명 터널링 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, a) 기판에 공명 터널링 구조를 갖는 질화물 에피 성장층을 형성하는 단계; (b) 상기 에피 성장층을 식각하여 적어도 하나의 FIN 구조를 형성하는 단계; (c) 상기 FIN 구조 및 에피층 상부에 절연막을 형성하는 단계; (d) 상기 FIN 구조의 중심부 상부에 상기 핀구조를 가로지르는 게이트 금속막을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 FIN 구조의 양쪽 측면에 소스 전극을 형성하고, 상기 게이트 영역과 대응되는 기판하면을 식각하여 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명을 제공하면, 공명 터널링 효과가 더 크게 될 뿐만 아니라, 3차원 구조인 핀(Fin) 구조는 채널의 극 미세화에 있어서 대략 2배 정도의 공정상 여유를 이용할 수 있다는 점과 subthreshold 누설전류가 매우 효과적으로 차단된다는 점에서, 고속/고주파 동작 및 저전력소비 낮은 노이즈를 갖는 고효율의 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 공명 터널링(Resonant Tunneling), 질화물, FIN, 밴드갭, 2DEG
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/88 (2006.01)
CPC H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01)
출원번호/일자 1020090134645 (2009.12.30)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1031798-0000 (2011.04.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 임기식 대한민국 대구광역시 북구
3 김기원 대한민국 대구광역시 수성구
4 김동석 대한민국 대구광역시 동구
5 곽은환 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김일환 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0818537-27
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0003639-00
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0091144-15
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0193987-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판에 공명 터널링 구조를 갖는 질화물 에피 성장층을 형성하는 단계; (b) 상기 에피 성장층을 식각하여 적어도 하나의 FIN 구조를 형성하는 단계; (c) 상기 FIN 구조 및 에피층 상부에 절연막을 형성하는 단계; (d) 상기 FIN 구조의 중심부 상부에 상기 핀구조를 가로지르는 게이트 금속막을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 FIN 구조의 양쪽 측면에 소스 전극을 형성하고, 상기 게이트 영역과 대응되는 기판하면을 식각하여 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 공명 터널링 질화물 반도체 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는, 기판에 N+ 도핑된 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 N+ 도핑된 제1 질화물 반도체 층 상부에 소정 두께의 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제2 질화물 반도체 층 상부에 도핑되지 않은 제1 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 도핑되지 않은 제1 질화물 반도체층 상부에 소정 두께의 상기 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 질화물 반도체 층 상부에 N+ 도핑된 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 공명 터널링 질화물 반도체 소자 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 상기 에피 성장층 상부에 FIN 구조를 형성하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴 상부에서 식각 가스를 이용하여 식각하여 소정 두께를 갖는 FIN 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 공명 터널링 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (c) 단계는 Al2O3 를 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 10 내지 30nm 두께로 증착하여 상기 절연막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 공명 터널링 질화물 반도체 소자 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 도핑되지 않은 제1 질화물 반도체층의 두께가 상기 제2 질화물 반도체 층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 3차원 공명 터널링 질화물 반도체 소자 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2 질화물 반도체 층의 두께는 150nm 내지 250nm 인 것을 특징으로 하는 3차원 공명 터널링 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항 또는 제2항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 3차원 공명 터널링 질화물 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.