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기판;상기 기판에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층에 핀 형상으로 형성되고, 폭이 20nm 내지 80nm이며, 제1 물질층과 제2 물질층이 접합되어 형성된 이종물질 접합층;상기 이종물질 접합층을 감싸도록 형성된 유전체층; 및상기 유전체층을 감싸도록 형성된 게이트층;을 포함하고,상기 이종물질 접합층의 제1 물질층은,m-평면(plane) 방향으로 형성된, FinFET 소자
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제1항에 있어서,상기 이종물질 접합층의 제1 물질층과 제2 물질층의 조합은,GaN과 AlGaN의 조합, SiGe와 Si의 조합, GaAs와 AlGaAs의 조합, InAs과 InAlAs의 조합 또는 InAs과 InGaAs의 조합을 포함하는, FinFET 소자
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제1항에 있어서,상기 유전체층은,Al2O3, SiN, SiO2, SiON, AlON 및 HfO2 중 적어도 하나를 포함하는, FinFET 소자
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제1항에 있어서,상기 유전체층은,고정 전하(fixed charge)가 추가되어, 2DEG 채널의 문턱전압을 이동시키는, FinFET 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 물질층은,상기 게이트에 문턱 전압 이상의 전압 인가되는 경우, 상기 제2 물질층과 인접한 상부 영역에 2DEG 채널이 형성되고, 상기 유전체층과 인접한 측면 영역에 MOS 채널이 형성되며,상기 2DEG 채널과 상기 MOS 채널은 일정 시간 범위 내에서 동시에 형성되어 드레인 전류가 흐름으로써 서브쓰레숄드 스윙(subthreshold swing)이 0mV/dec를 초과하고 60mV/dec 이하로 형성되는, FinFET 소자
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