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질화물 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015162862
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화물 반도체 소자가 개시된다. 본 발명에 의한 질화물 반도체 소자는 기설정된 제1 도핑으로 도핑되어 드레인으로 동작하는 제1 질화물층, 제1 질화물층 상부에 배치되며, 내부에 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electorn Gas:2DEG)층이 생성된 제2 질화물층, 제2 질화물층 상부에 제1 도핑 및 제1 도핑과 다른 제2 도핑이 교번적으로 배치되는 제3 질화물층, 제3 질화물층 상부에 배치되며, 내부에 2차원 전자 가스층이 생성된 제4 질화물층 및 제3 질화물층 측면에 배치되는 게이트 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020130124511 (2013.10.18)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1480068-0000 (2014.12.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.18)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 김동석 대한민국 대구광역시 동구
3 강희성 대한민국 대구광역시 북구
4 김도균 대한민국 대구광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0941690-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0039939-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0649764-74
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1008716-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-1119684-65
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1119685-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0881640-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물 반도체 소자에 있어서, 기설정된 제1 도핑으로 도핑되어 드레인으로 동작하는 제1 질화물층;상기 제1 질화물층 상부에 배치되며, 내부에 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electorn Gas:2DEG)층이 생성된 제2 질화물층;상기 제2 질화물층 상부에 상기 제1 도핑 및 상기 제1 도핑과 다른 제2 도핑이 교번적으로 배치되는 제3 질화물층; 상기 제3 질화물층 상부에 배치되며, 내부에 2차원 전자 가스층이 생성된 제4 질화물층; 및상기 제3 질화물층 측면에 배치되는 게이트 전극;을 포함하고,상기 제4 질화물층은,상기 제3 질화물층 상부에 배치된 n타입 도핑된 GaN층; 및상기 n타입 도핑된 GaN층 상부에 배치된 AlGaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 도핑은, n 타입 도핑인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 질화물층은,상기 제1 질화물층 상부에 배치된 미도핑된 GaN층; 및상기 미도핑된 GaN층 상부에 배치된 AlGaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 제3 질화물층은,상기 제2 질화물층 상부에 배치된 n 타입 도핑된 GaN 층; 및상기 n 타입 도핑된 GaN 층 상부에 배치된 p 타입 도핑된 GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 제3 질화물층은 측면이 노출되도록 식각되어 있으며, 상기 게이트 전극은 상기 식각된 제3 질화물층의 측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 제3 질화물층 및 상기 게이트 전극 사이에는 산화막이 배치되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 질화물층 하부에 배치된 기판; 및상기 기판을 식각한 영역에 형성되며, 상기 제1 질화물층에 접하여 배치되는 드레인 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 제2 질화물층 내부에 생성된 2차원 전자 가스층은,상기 제4 질화물층에서 전달된 전하를 분산하여 상기 제1 질화물층으로 전달하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
10 10
질화물 반도체 소자 제조방법에 있어서,기판 상부에 기설정된 제1 도핑으로 도핑되어 드레인으로 동작하는 제1 질화물층을 형성하는 단계;상기 제1 질화물층 상부에 배치되며, 내부에 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electorn Gas:2DEG)가 생성된 제2 질화물층을 형성하는 단계;상기 제2 질화물층 상부에 상기 제1 도핑 및 상기 제1 도핑과 다른 제2 도핑이 교번적으로 배치되는 제3 질화물층을 형성하는 단계; 상기 제3 질화물층 상부에 배치되며, 내부에 2차원 전자 가스가 생성된 제4 질화물층을 형성하는 단계; 및상기 제3 질화물층 측면에 배치되는 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제4 질화물층을 형성하는 단계는,상기 제3 질화물층 상부에 n타입 도핑된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 n타입 도핑된 GaN층 상부에 AlGaN층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 제1 도핑은, n 타입 도핑인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
12 12
제10항에 있어서,상기 제2 질화물층을 형성하는 단계는,상기 제1 질화물층 상부에 미도핑된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 미도핑된 GaN층 상부에 AlGaN층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
13 13
삭제
14 14
제10항에 있어서, 상기 제3 질화물층을 형성하는 단계는,상기 제2 질화물층 상부에 n 타입 도핑된 GaN 층을 형성하는 단계; 및상기 n 타입 도핑된 GaN 층 상부에 p 타입 도핑된 GaN층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
15 15
제10항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 제3 질화물층 및 상기 제4 질화물층의 기설정된 영역을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 측벽에 산화막을 증착하는 단계; 및상기 산화막 상부에 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
16 16
제10항에 있어서,상기 기판을 상기 제1 질화물층이 노출되도록 식각하는 단계; 및상기 식각된 영역에 상기 제1 질화물층과 접촉하는 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 제2 질화물층 내부에 생성된 2차원 전자 가스는,상기 제4 질화물층에서 전하를 분산하여 상기 제1 질화물층으로 전달하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.