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기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법 및 이에 의해 형성된 나노구조체를 포함하는 나노-분자 소자

  • 기술번호 : KST2014027885
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 선택적인 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법은, 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 패턴의 선폭을 나노단위로 제어하여 나노단위 포토레지스트 층을 형성하는 제1단계; 나노단위 포토레지스트 층이 형성된 기판 상의 패턴 미형성 영역에 나노물질 흡착방지용 보호층을 형성하는 제2단계; 기판 상에 형성된 포토레지스트 층을 제거하는 제3단계; 포토레지스트 층이 제거된 영역에 양 또는 음으로 대전된 흡착층을 형성하는 제4단계; 및 흡착층이 형성된 기판에 흡착층과는 반대 전하로 대전된 나노물질 포함 용액을 적용하는 제5단계; 를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 따르면, 정전기적 인력을 이용함으로써 손쉽게 나노구조체를 선택적으로 정렬 및 위치시킬 수 있는 효과 및 새로운 나노구조체를 형성할 수 있는 효과가 있으며, 또한 본 발명에 의해 형성된 나노구조체 또는 복합나노구조체는 나노-분자소자에 적용할 수 있는 효과가 있다. 나노선, 나노패턴, 선택적 나노구조체 형성, 나노구조체
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090013339 (2009.02.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1039630-0000 (2011.06.01)
공개번호/일자 10-2010-0094090 (2010.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20110608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.18)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 경기도 화성시
2 김형진 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0099890-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0043361-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0007040-43
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0157680-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0157683-62
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0291448-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 애싱공정에 의해 패턴의 선폭을 나노단위로 제어하여 나노단위 포토레지스트 층을 형성하는 제1단계; 나노단위 포토레지스트 층이 형성된 기판 상의 패턴 미형성 영역에 나노물질 흡착방지용 보호층을 형성하는 제2단계; 기판 상에 형성된 포토레지스트 층을 제거하는 제3단계; 포토레지스트 층이 제거된 영역에 양 또는 음으로 대전된 흡착층을 형성하는 제4단계; 및 흡착층이 형성된 기판에 흡착층과는 반대 전하로 대전된 나노물질 포함 용액을 적용하는 제5단계; 를 포함하여 이루어진 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 제2단계의 보호층은 OTS(octadecyltrichlorosilane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 제2단계의 보호층은 DLC(diamond-like carbon)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 제4단계의 양으로 대전된 흡착층은 APS(aminopropyltriethoxysilane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 제4단계의 음으로 대전된 흡착층은 MHA(16-mercaptohexadecanonic acid)로 이루지는 것을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
7 7
청구항 1에 있어서, 제5단계에서 나노물질 포함 용액을 적용하는 방법은 한쪽으로 기울인 흡착층이 형성된 기판의 표면에 나노구조체 포함 용액을 흘려주는 것임을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
8 8
청구항 1에 있어서, 제5단계에서 나노물질 포함 용액을 적용하는 방법은 나노물질 포함 용액에 흡착층이 형성된 기판을 담그고 한쪽 방향으로 끌어당기는 것임을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
9 9
청구항 1에 있어서, 제5단계에서 음 또는 양으로 대전된 나노구조체가 선택적으로 위치된 기판에 나노구조체와는 반대로 대전된 제2나노물질 포함 용액을 적용하는 제6단계를 더 포함하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
10 10
기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 제1단계; 포토레지스트 층이 형성된 기판 상의 패턴 미형성 영역에 양 또는 음으로 대전된 제1흡착층을 형성하는 제2단계; 기판 상에 형성된 포토레지스트 층을 제거하는 제3단계; 포토레지스트 층이 제거된 영역에 제1흡착층과는 반대 전하로 대전된 제2흡착층을 형성하는 제4단계; 및 흡착층이 형성된 기판에 양으로 대전된 제1나노물질 포함 용액 및 음으로 대전된 제2나노물질 포함 용액을 적용하는 제5단계; 를 포함하여 이루어진 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 양으로 대전된 흡착층은 APS(aminopropyltriethoxysilane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
12 12
청구항 10에 있어서, 음으로 대전된 흡착층은 MHA(16-mercaptohexadecanonic acid)로 이루지는 것을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
13 13
청구항 10에 있어서, 제5단계에서 제1나노물질 포함 용액과 제2나노물질 포함 용액을 차례로 적용하는 것을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
14 14
청구항 10에 있어서, 제5단계에서 제1나노물질과 제2나노물질을 함께 포함하는 용액을 적용하는 것을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
15 15
청구항 10에 있어서, 제5단계에서 나노물질 포함 용액을 적용하는 방법은 한쪽으로 기울인 흡착층이 형성된 기판의 표면에 나노구조체 포함 용액을 흘려주는 것임을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
16 16
청구항 10에 있어서, 제5단계에서 나노물질 포함 용액을 적용하는 방법은 나노물질 포함 용액에 흡착층이 형성된 기판을 담그고 한쪽 방향으로 끌어당기는 것임을 특징으로 하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
17 17
청구항 10에 있어서, 제5단계에서 양 또는 음으로 대전된 나노구조체가 선택적으로 위치된 기판에 나노구조체와는 반대로 대전된 나노물질 포함 용액을 적용하는 제6단계를 더 포함하는 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법
18 18
청구항 1, 청구항 3 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 나노구조체를 포함하는 나노-분자 소자
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1 US2010216076 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8329386 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 과학재단 특정기초연구지원사업 DNA 기반 전도성 나노와이어를 이용한 고감도 나노 바이오센서에 관한 연구