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스트레인 센서 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 스트레인 센서

  • 기술번호 : KST2022005555
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 스트레인 센서 제조방법은 복수의 돌출부가 구비된 기판을 제공하는 기판 제공 단계, 상기 기판에 대하여 제1 경사각을 갖고 증착물질을 증착하는 제1 경사증착 단계 및 상기 기판에 대하여 제2 경사각을 갖고 증착물질을 증착하는 제2 경사증착 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 스트레인 센서의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 스트레인 센서에 의하면, 크랙의 정렬도 및 밀도를 매우 향상시킬 수 있기 때문에 민감도를 월등히 높일 수 있고, 뛰어난 내구성을 확보할 수 있다.
Int. CL G01L 1/22 (2006.01.01) G01L 9/04 (2006.01.01)
CPC G01L 1/2287(2013.01) G01L 1/225(2013.01) G01L 9/04(2013.01)
출원번호/일자 1020200149706 (2020.11.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0063634 (2022.05.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대전 유성구
2 정명근 대전 유성구
3 유재영 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-1203221-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2022.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0016700-38
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2022.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0045560-12
5 등록결정서
Decision to grant
2022.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0227277-30
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번호 청구항
1 1
복수의 돌출부가 구비된 기판을 제공하는 기판 제공 단계;상기 기판에 대하여 제1 경사각을 갖고 증착물질을 증착하는 제1 경사증착 단계; 및상기 기판에 대하여 제2 경사각을 갖고 증착물질을 증착하는 제2 경사증착 단계;를 포함하는 스트레인 센서 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판에 대하여 수직 방향으로 증착물질을 증착하는 수직증착 단계;를 더 포함하는 스트레인 센서 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,스트레스를 인가하여 상기 기판 상에 형성된 증착층에 크랙을 생성하는 스트레스 인가 단계;를 더 포함하는 스트레인 센서 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 기판은 복수의 직선형 돌출부가 소정 간격을 두고 이격된 나노그레이팅 기판(nanograting substrate)인 스트레인 센서 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 크랙은 상기 복수의 직선형 돌출부 사이에 위치하는 직선형 골부를 따라 직선형으로 형성되는 스트레인 센서 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 스트레스 인가 단계는 상기 기판을 벤딩(bending) 혹은 스트레칭(stretching)하여 상기 복수의 직선형 돌출부 사이를 멀어지게 함으로써, 직선형 크랙을 상기 증착층 상에 형성시키는 스트레인 센서 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 기판은 플렉서블 재료로 이루어진 스트레인 센서 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 기판 제공 단계는,Si 나노 그레이팅 기판 상에 플렉서블 재료층을 형성하는 단계; 및상기 Si 나노 그레이팅 기판을 제거하여 그레이팅 패턴을 전사하는 단계;를 포함하는 스트레인 센서 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 플렉서블 재료층 상에 베이스층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 스트레인 센서 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 돌출부 사이의 골부에 침투하는 증착물질의 양은 상기 돌출부의 상면이나 상측면에 증착되는 증착물질의 양보다 적은 스트레인 센서 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 기판 상에 생성된 크랙의 크기는 상기 기판에 형성된 증착층의 상부로 갈수록 작아지는 스트레인 센서 제조방법
12 12
제1항에 기재된 스트레인 센서 제조방법에 의하여 제조된 스트레인 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.